[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210415061.5 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779270A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;王新鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源极、漏极、伪栅极和伪栅极侧壁；步骤S102：进行应力临近技术处理，去除部分伪栅极侧壁；步骤S103：在半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104：刻蚀接触孔刻蚀阻挡层以在源极和漏极的上方形成开口；步骤S 105：对半导体衬底进行金属化以在源极和漏极上形成金属硅化物。本发明的半导体器件的制造方法，通过在伪栅极结构上形成接触孔刻蚀阻挡层并在接触孔刻蚀阻挡层上对应源极和漏极的位置形成开口来进行金属化工艺，避免了采用硅化物遮蔽层进行金属化工艺时对空间的不当限制，提高了器件的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有源极、漏极、伪栅极和伪栅极侧壁；步骤S102：对所述半导体衬底进行应力临近技术处理，去除部分所述伪栅极侧壁；步骤S103：在所述半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104：刻蚀所述接触孔刻蚀阻挡层以在所述源极和漏极的上方形成开口；步骤S105：对所述半导体衬底进行金属化以在所述源极和漏极上形成金属硅化物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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