[发明专利]一种半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有源极、漏极、伪栅极和伪栅极侧壁；

步骤S102：对所述半导体衬底进行应力临近技术处理，去除部分所述伪栅极侧壁；

步骤S103：在所述半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层；

步骤S104：刻蚀所述接触孔刻蚀阻挡层以在所述源极和漏极的上方形成开口；

步骤S105：对所述半导体衬底进行金属化以在所述源极和漏极上形成金属硅化物。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述源极和漏极为抬升的源极和漏极。

3.如权利要求2所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，去除所述伪栅极侧壁远离所述半导体衬底的部分，保留所述伪栅极侧壁位于所述伪栅极与所述源极之间以及所述伪栅极与所述漏极之间的部分。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，保留的所述伪栅极侧壁位于所述伪栅极与所述源极之间以及所述伪栅极与所述漏极之间的部分的高度与所述抬升的源极和漏极的高度相同。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S102中，在进行应力临近技术处理时，采用干法刻蚀。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S103中形成的所述接触孔刻蚀阻挡层为双应力衬垫或单应力衬垫。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S104包括：

步骤S1041：在所述接触孔刻蚀阻挡层的上方形成图形化的光刻胶，所述图形化的光刻胶覆盖所述半导体衬底除所述源极和漏极以外的区域；

步骤S1042：以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述接触孔刻蚀阻挡层进行刻蚀，去除所述接触孔刻蚀阻挡层未被所述图形化的光刻胶覆盖的部分；

步骤S1043：去除所述图形化的光刻胶。

8.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S105之后还包括如下步骤：

步骤S106：在所述半导体衬底上形成层间介电层；

步骤S107：通过CMP工艺去除位于所述伪栅极上方的所述接触孔刻蚀阻挡层和层间介电层；

步骤S108：用金属栅极替代所述伪栅极。

9.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S106中，形成所述层间介电层的方法为沉积法。

10.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述步骤S108包括：

步骤S1081：刻蚀去除所述伪栅极；

步骤S 1082：在所述伪栅极原来的位置填充金属，通过CMP工艺去除多余的金属以形成金属栅极。

11.如权利要求8所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在所述步骤S 108之后还包括：进行双大马士革中段制程工艺以实现局域互连的步骤。