[发明专利]半导体结构与降低半导体结构中信号干扰的方法有效
| 申请号： | 201210413876.X | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779317B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;吴浚昌;曾誌裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构，包含一基底、一第一硅贯穿电极、一电感结构以及一电容结构。第一硅贯穿电极设置在基底中，且具有一第一信号。电感结构设置在基底中。电容结构与电感结构电性相连，并与电感结构形成一LC电路以阻隔第一信号的干扰。本发明还提供了一种降低半导体结构中信号干扰的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 降低 信号 干扰 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包含：一基底；一第一硅贯穿电极，设置在该基底中，该第一硅贯穿电极具有一第一信号；一电感结构设置在该基底中，其中该电感包含一第二硅贯穿电极；以及一电容结构与该电感结构电性相连，其中该电容结构包含一第一电极、一电容介电层以及一第二电极，该电容介电层设置在该第一电极与该第二电极之间，该电容结构与该电感结构形成一LC电路以阻隔该第一信号的干扰。
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