[发明专利]半导体结构与降低半导体结构中信号干扰的方法

说明书

技术领域

本发明是关于一种半导体结构，特别来说，是一种可以避免高频信号对附近电路形成干扰的半导体结构。

背景技术

在现代的信息社会中，由集成电路(integrated circuit,IC)所构成的微处理系统早已被普遍运用于生活的各个层面，例如自动控制的家电用品、移动通讯设备、个人计算机等，都有集成电路的使用。而随着科技的日益精进，以及人类社会对于电子产品的各种想象，使得集成电路也往更多元、更精密、更小型的方向发展。

一般所称集成电路，是经由半导体制程中所生产的晶粒(die)而形成。制造晶粒的过程，是由生产一晶圆(wafer)开始：首先，在一片晶圆上区分出多个区域，并在每个区域上，通过各种半导体制程如沉积、微影、蚀刻或平坦化制程，以形成各种所需的电路路线。然后，在进行一般的测试步骤以测试内部元件是否能顺利运作。接着，再对晶圆上的各个区域进行切割而成各个晶粒，并加以封装成芯片(chip)，最后再将芯片电连至一电路板，如一印刷电路板(printed circuit board,PCB)，使芯片与印刷电路板的接脚(pin)电性连结后，便可执行各种编程的处理。

为了提高芯片功能与效能，增加积极度以便在有限空间下能容纳更多半导体元件，相关厂商开发出许多半导体芯片的堆栈技术，包括了覆晶封装(flip-chip)技术、多芯片封装(multi-chip package,MCP)技术、封装堆栈(packageon package,PoP)技术、封装内藏封装体(package in package,PiP)技术等，都可以通过芯片或封装体间彼此的堆栈来增加单位体积内半导体元件的积极度。近年来又发展一种称为穿硅通孔(through silicon via,TSV)的技术，可促进在封装体中各芯片间的内部连结(interconnect)，以将堆栈效率进一步往上提升。

然而，现有以硅贯穿电极作为信号传输的线路也面临了一些问题，由于硅贯穿电极相较于已知的金属内连线系统而言，其占有的体积较大，因此当硅贯穿电极所传输的信号也更容易对其它线路产生噪声，影响了元件的质量。

发明内容

本发明于是提供了一种半导体结构，以解决前述问题。

根据本发明的一个实施例，本发明提供了一种半导体结构，包含一基底、一第一硅贯穿电极、一电感结构以及一电容结构。第一硅贯穿电极设置在基底中，且具有一第一信号。电感结构设置在基底中。电容结构与电感结构电性相连，并与电感结构形成一LC电路以阻隔第一信号的干扰。

根据本发明的另一个实施例，本发明提供了一种降低半导体结构中信号干扰的方法。首先提供一半导体结构，包含一基底、一第一硅贯穿电极设置在基底中、一电感结构设置在基底、一电容结构，与电感结构电性连接以形成一LC电路，且LC电路具有一共振频率。接着，对第一硅贯穿电极提供一第一信号，其中第一信号的频率与共振频率实质上相同。

通过硅贯穿电极作为电感，可以与电容结构形成LC电路，其共振频率可以和高频信号匹配，进而降低高频信号对其它电子元件的影响。因此，可以得到一质量较佳的元件。

附图说明

图1至图11为本发明一种半导体结构的示意图。

[主要元件标号说明]

300 基底324a电容结构

302 介电层324b电容结构

302b内层介电层324c电容结构

304 第一硅贯穿电极324d电容结构

306 第一线路326 第一电极

308 第二硅贯穿电极326a第一电极

308a第二硅贯穿电极326b第一电极

308b第二硅贯穿电极328 电容介电层

308c第二硅贯穿电极328a电容介电层

310 第二线路328b电容介电层

312 第三硅贯穿电极330 第二电极

314 第三线路330a第二电极

316 金属内连线系统330b第二电极

318 第一信号332 连接线路

320 第三信号334 连接线路

322 电子元件336 连接线路

324 电容结构340 电压提供单元

具体实施方式

为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。