[发明专利]半导体结构与降低半导体结构中信号干扰的方法有效
| 申请号： | 201210413876.X | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103779317B | 公开（公告）日： | 2017-12-05 |
| 发明（设计）人： | 李宗霖;吴浚昌;曾誌裕 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/64;H01L21/60;H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 史新宏 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 降低 信号 干扰 方法 | ||
1.一种半导体结构，包含：
一基底；
一第一硅贯穿电极，设置在该基底中，该第一硅贯穿电极具有一第一信号；
一电感结构设置在该基底中，其中该电感包含一第二硅贯穿电极；以及
一电容结构与该电感结构电性相连，其中该电容结构包含一第一电极、一电容介电层以及一第二电极，该电容介电层设置在该第一电极与该第二电极之间，该电容结构与该电感结构形成一LC电路以阻隔该第一信号的干扰。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一信号的一频率与该LC电路的一共振频率实质上相同。
3.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一信号为一射频信号。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二硅贯穿电极具有一连续封闭剖面，其完全包围该第一硅贯穿电极。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第二硅贯穿电极设置在该基底的边缘。
6.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该电感包含多个第二硅贯穿电极设置在该基底中。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该多个第二硅贯穿电极彼此相互串联。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，还包含多个介电层设置在该基底上，且该电容结构设置在该多个介电层中。
9.根据权利要求8所述的半导体结构，其中该电容设置在该多个介电层中最靠近该基底的一层。
10.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极与该第二电极包含金属。
11.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该第一电极或该第二电极其中至少一者包含多晶硅。
12.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该电感结构设置在一第一芯片中，且此半导体结构还包含一第二芯片，其中该电容结构设置在该第二芯片中，且该电容结构通过一连接线路与该电感结构电性连接。
13.根据权利要求12所述的半导体结构，其中该连接线路包含一锡球、一重布层或一打线。
14.根据权利要求1所述的半导体结构，其中该电容结构还电性连接一电压提供单元。
15.一种降低半导体结构中信号干扰的方法，包含：
提供一半导体结构，包含：
一基底；
一第一硅贯穿电极，设置在该基底中；
一电感结构，设置在该基底中，该电感包含一第二硅贯穿电极；以及
一电容结构，与该电感结构电性连接以形成一LC电路，该电容结构包含一第一电极、一电容介电层以及一第二电极，该电容介电层设置在该第一电极与该第二电极之间，该LC电路具有一共振频率；以及
对该第一硅贯穿电极提供一第一信号，其中该第一信号的频率与该共振频率实质上相同。
16.根据权利要求15所述的降低半导体结构中信号干扰的方法，其中该电感包含多个第二硅贯穿电极设置在该基底中，彼此相互串联。
17.根据权利要求15所述的降低半导体结构中信号干扰的方法，其中该半导体结构还包含多个介电层设置在该基底上，且该电容结构设置在该多个介电层中。
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