[发明专利]半导体存储器件及其操作方法有效

专利信息
申请号: 201210413265.5 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103117086B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 金泰均 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063
代理公司: 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙)11363 代理人: 石卓琼,俞波
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法,所述半导体存储器件包括选择信号发生单元,所述选择信号发生单元被配置成产生顺序激活的多个选择信号;路径选择单元,所述路径选择单元被配置成响应于所述多个选择信号,而选择顺序输入的信息数据的传送路径;多个第一储存单元,每个第一储存单元被配置成具有第一储存完成时间,并储存路径选择单元的输出信号;以及多个第二储存单元,每个第二储存单元被配置成具有比第一储存完成时间长的第二储存完成时间,并储存多个第一储存单元的各个输出信号。
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 操作方法
【主权项】:
一种半导体存储器件,包括:命令译码单元,所述命令译码单元被配置成将外部命令信号译码,并产生模式寄存器激活信号;选择信号发生单元,所述选择信号发生单元被配置成响应于所述模式寄存器激活信号和至少一个存储体地址信号,而产生顺序激活的多个选择信号;路径选择单元,所述路径选择单元被配置成响应于所述选择信号,而选择顺序输入的地址的传送路径;多个储存单元,所述多个储存单元中的每个被配置成具有第一储存完成时间,并储存所述路径选择单元的输出信号;以及多个模式寄存器单元,所述多个模式寄存器单元中的每个被配置成具有比所述第一储存完成时间长的第二储存完成时间,并储存所述多个储存单元的各个输出信号。
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