[发明专利]半导体存储器件及其操作方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

命令译码单元，所述命令译码单元被配置成将外部命令信号译码，并产生模式寄存器激活信号；

选择信号发生单元，所述选择信号发生单元被配置成响应于所述模式寄存器激活信号和至少一个存储体地址信号，而产生顺序激活的多个选择信号；

路径选择单元，所述路径选择单元被配置成响应于所述选择信号，而选择顺序输入的地址的传送路径；

多个储存单元，所述多个储存单元中的每个被配置成具有第一储存完成时间，并储存所述路径选择单元的输出信号；以及

多个模式寄存器单元，所述多个模式寄存器单元中的每个被配置成具有比所述第一储存完成时间长的第二储存完成时间，并储存所述多个储存单元的各个输出信号。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述选择信号包括与所述地址的输入时间点相关的信息。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，还包括：

同步单元，所述同步单元被配置成响应于所述模式寄存器激活信号而同步所述地址，并将同步的地址传送到所述路径选择单元。

4.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述选择信号发生单元包括：

译码部，所述译码部被配置成将至少一个存储体地址信号译码；以及

延迟部，所述延迟部被配置成将所述译码部的输出信号延迟预定的时间，并产生所述选择信号。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，其中，所述延迟部被配置成将所述译码部的输出信号延迟一时间段，所述时间段为信息数据的输入时间点与随后的信息数据的输入时间点之间的时间段。

6.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述地址以与所述第一储存完成时间相等的时间间隔输入。

7.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述路径选择单元具有与所述模式寄存器单元的数目相等的多个传送路径。

8.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述储存单元的数目与所述模式寄存器单元的数目相等。

9.一种半导体存储器件的操作方法，包括以下步骤：

将第一信息数据输入到第一模式寄存器单元中，并储存所述第一信息数据；以及

在完成所述第一信息数据的储存之前，将第二信息数据输入到第二模式寄存器单元中，

其中，储存所述第一信息数据包括：

在第一储存完成时间期间储存所述第一信息数据，并输出储存信号；以及

在第二储存完成时间期间，储存所述储存信号。

10.如权利要求9所述的操作方法，其中，所述第二信息数据在所述第一储存完成时间之后输入。

11.如权利要求9所述的操作方法，其中，所述第二储存完成时间比所述第一储存完成时间长。

12.如权利要求9所述的操作方法，其中，顺序输入所述第一信息数据和所述第二信息数据。

13.如权利要求9所述的操作方法，其中，所述第一信息数据和所述第二信息数据以与所述第一储存完成时间相等的时间间隔来输入。

14.如权利要求9所述的操作方法，还包括以下步骤：

产生顺序激活的多个选择信号；以及

响应于所述选择信号而选择所述第一信息数据和所述第二信息数据的传送路径。

15.如权利要求14所述的操作方法，其中，所述选择信号包括与所述第一信息数据和所述第二信息数据的输入时间点相关的信息。