[发明专利]一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法，该制作方法包括：在栅极上设置第一绝缘层；在第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层；在氧化物半导体层和缓冲层上设置源极和漏极；对与源极和漏极未直接接触的缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理，使与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量。通过以上方式，本发明可防止后续的制程对氧化物半导体层的损坏，从而保证薄膜晶体管的稳定性，并保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：在基底上设置栅极；在所述栅极上设置第一绝缘层；在所述第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层，其中，所述缓冲层由透明导电氧化物构成；在所述氧化物半导体层和所述缓冲层上分别设置源极和漏极；对与所述源极和漏极未直接接触的所述缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理，使与所述源极和漏极未直接接触的所述缓冲层的含氧量高于与所述源极和漏极直接接触的所述缓冲层的含氧量。