[发明专利]一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法。

背景技术

目前，Oxide TFT（氧化物薄膜晶体管）的应用已经被实现。Oxide TFT技术是将原本应用于a-Si TFT的硅半导体材料部分置换成氧化物半导体如IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide,铟镓锌氧化物)，以形成TFT半导体层。目前Oxide TFT主要有BCE型（Back Channel Etched，背沟道刻蚀型）和ES型（Etch Stopper，刻蚀阻挡型）两种结构，其中BCE型的Oxide TFT相对于ES型的Oxide TFT，其具有工艺制程较简单与较高的沟道宽长比等优点。

但是，对于BCE型的Oxide TFT，其氧化物半导体层容易受到后续制程的损伤,例如在蚀刻源极和漏极或者沉积保护层时，氧化物半导体层容易受到损坏，从而造成Oxide TFT特性劣化以及不稳定。

发明内容

本发明主要解决的技术问题是提供一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法，能够防止后续的制程对氧化物半导体层的损坏，从而保证TFT的稳定性，并保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管的制作方法，该制作方法包括以下步骤：在基底上设置栅极；在栅极上设置第一绝缘层；在第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层，其中，缓冲层由透明导电氧化物构成；在氧化物半导体层和缓冲层上设置源极和漏极；对与源极和漏极未直接接触的缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理,使与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量。

其中，氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。

其中，缓冲层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物以及镓锌氧化物中的至少一种。

其中，氧化物半导体层的厚度大于缓冲层的厚度。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括：栅极；第一绝缘层，设置在栅极上；氧化物半导体层和缓冲层,依次层叠设置在第一绝缘层上，其中，缓冲层由透明导电氧化物构成；源极和漏极，分别设置在氧化物半导体层和缓冲层上，其中，与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量。

其中，氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。

其中，缓冲层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物以及镓锌氧化物中的至少一种。

其中，氧化物半导体层的厚度大于缓冲层的厚度。

为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种主动矩阵式平面显示装置，该主动矩阵式平面显示装置包括阵列基板，该阵列基板包括：基底；栅极，设置在基底上；第一绝缘层，设置在栅极上；氧化物半导体层和缓冲层，依次层叠设置在第一绝缘层上，其中，缓冲层由透明导电氧化物构成；源极和漏极，分别设置在氧化物半导体层和缓冲层上；第二绝缘层，设置在源极和漏极上，在第二绝缘层对应于漏极的位置处设置有一导通孔；透明导电层，设置在第二绝缘层上，且通过导通孔与漏极连接；其中，缓冲层的材料和透明导电层的材料相同，并且，与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量。

其中，氧化物半导体层的厚度大于缓冲层的厚度。

其中，缓冲层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物以及镓锌氧化物中的至少一种。

其中，氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。

本发明的有益效果是：区别于现有技术的情况，本发明在第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层，在氧化物半导体层和缓冲层上分别设置源极和漏极，其中，对与源极和漏极未直接接触的缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理，使与源极和漏极未直接接触的缓冲层的含氧量高于与源极和漏极直接接触的缓冲层的含氧量，因此，缓冲层起到保护氧化物半导体层的作用，可防止后续的制程对氧化物半导体层的损坏，保证了薄膜晶体管的稳定性，并保证主动矩阵式平面显示装置的显示品质。

附图说明

图1是本发明第一实施例的一种薄膜晶体管的制作方法的流程图；

图2是本发明的薄膜晶体管的制程图；