[发明专利]一种主动矩阵式平面显示装置、薄膜晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括以下步骤：

在基底上设置栅极；

在所述栅极上设置第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上依次层叠设置氧化物半导体层和缓冲层，其中，所述缓冲层由透明导电氧化物构成；

在所述氧化物半导体层和所述缓冲层上分别设置源极和漏极；

对与所述源极和漏极未直接接触的所述缓冲层进行含氧气氛的电浆处理或热处理，使与所述源极和漏极未直接接触的所述缓冲层的含氧量高于与所述源极和漏极直接接触的所述缓冲层的含氧量。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述缓冲层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物以及镓锌氧化物中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述氧化物半导体层的厚度大于所述缓冲层的厚度。

5.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：

栅极；

第一绝缘层，设置在所述栅极上；

氧化物半导体层和缓冲层,依次层叠设置在所述第一绝缘层上，其中，所述缓冲层由透明导电氧化物构成；

源极和漏极，分别设置在所述氧化物半导体层和所述缓冲层上；

其中，与所述源极和漏极未直接接触的所述缓冲层的含氧量高于与所述源极和漏极直接接触的所述缓冲层的含氧量。

6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。

7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述缓冲层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物以及镓锌氧化物中的至少一种。

8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述氧化物半导体层的厚度大于所述缓冲层的厚度。

9.一种主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述主动矩阵式平面显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括：

基底；

栅极，设置在所述基底上；

第一绝缘层，设置在所述栅极上；

氧化物半导体层和缓冲层，依次层叠设置在所述第一绝缘层上，其中，所述缓冲层由透明导电氧化物构成；

源极和漏极，分别设置在所述氧化物半导体层和所述缓冲层上；

第二绝缘层，设置在所述源极和漏极上，在所述第二绝缘层对应于所述漏极的位置处设置有一导通孔；

透明导电层，设置在所述第二绝缘层上，且通过所述导通孔与所述漏极连接；

其中，所述缓冲层的材料和所述透明导电层的材料相同，并且，与所述源极和漏极未直接接触的所述缓冲层的含氧量高于与所述源极和漏极直接接触的所述缓冲层的含氧量。

10.根据权利要求9所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体层的厚度大于所述缓冲层的厚度。

11.根据权利要求9所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述缓冲层的材料包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锌氧化物以及镓锌氧化物中的至少一种。

12.根据权利要求9所述的主动矩阵式平面显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体层的组成成分包括锌的氧化物、锡的氧化物、铟的氧化物以及镓的氧化物中的至少一种。