[发明专利]固态成像装置和其制造方法以及成像单元有效
| 申请号： | 201210394766.3 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103037174B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 北野良昭 | 申请（专利权）人： | 索尼半导体解决方案公司 |
| 主分类号： | H01L27/146 | 分类号： | H01L27/146;H01L27/148 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 陈桂香;褚海英 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明公开一种固态成像装置和其制造方法以及成像单元。固态成像装置包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。 | ||
| 搜索关键词： | 固态 成像 装置 制造 方法 以及 单元 | ||
【主权项】：
1.一种固态成像装置，包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在所述感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖所述导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在所述第一遮光膜的表面的一部分或者全部上，并且所述第二遮光膜与所述第一遮光膜电接触，其中，所述第一遮光膜直接形成在所述导电材料的表面上，其中，所述第一遮光膜和所述第二遮光膜由具有导电性的构件形成，以及当驱动所述固态成像装置时，电压经由所述第一遮光膜和所述第二遮光膜而施加到所述导电材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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