[发明专利]固态成像装置和其制造方法以及成像单元

说明书

本发明公开一种固态成像装置和其制造方法以及成像单元。固态成像装置包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。

技术领域

本发明涉及固态成像装置和其制造方法以及成像单元，更具体地，涉及其中像素的开口能进一步加宽的固态成像装置和其制造方法以及成像单元。

背景技术

近年来，正在进行诸如电荷耦合器件(CCD)的成像装置的小型化。与此同时，成像装置的诸如污点(smear)噪音或者感光性的集光特性已经变成高度依赖于由每个像素附近的遮光膜的形状等确定的像素开口尺寸。

因而，通过设定配线结构以将用来转移蓄积在每个像素中的电荷的遮光膜和转移电极通用化，已经提出了用于加宽每个像素的开口尺寸的技术(例如，参照日本未审查专利申请公报No.2009-252840)。

在此技术中，为了覆盖设置在成像装置的衬底上的转移电极，沉积绝缘膜，形成在转移电极的上表面部分上的绝缘膜被移除，并且触点形成在转移电极上。此外，为了覆盖触点和绝缘膜，沉积遮光膜，遮光膜还用作向转移电极施加电压的信号线，并遮蔽朝着衬底的内部入射的不需要的光。即，由于遮光膜和转移电极通过触点连接到彼此，电压可以施加到转移电极。

发明内容

然而，在以上所述的技术中，已经不能使成像装置的每个像素的开口足够地宽。

例如，在使转移电极和遮光膜的通用化的技术中，由于对转移电极设置的绝缘膜的厚度或者触点尺寸的限制，已经难以使每个像素的开口宽度足够宽。此外，由于触点要设置在转移电极和遮光膜之间，转移电极中的一部分的与衬底的遮光表面垂直的方向的高度变高，因而，像素的开口变窄。

期望考虑使像素的开口更宽的技术。

根据本技术的第一实施例的固态成像装置包括：感光单元，其通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷；在所述感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖所述导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在所述第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。

所述第一遮光膜和所述第二遮光膜由具有导电性的构件形成，当驱动所述固态成像装置时，电压可以经由所述第一遮光膜和所述第二遮光膜而施加到所述导电材料。

所述导电材料可以是转移电极，当读出蓄积在所述感光单元中的所述信号电荷时，所述电压施加到所述转移电极。

所述第二遮光膜形成为使得所述第二遮光膜在所述导电材料和所述导电材料附近的所述感光单元之间排列方向上的宽度比所述第一遮光膜在所述方向上的宽度窄。

在所述第一遮光膜的所述感光单元侧的侧面，可以以侧壁形状形成所述第二遮光膜。

所述导电材料可以由多晶硅形成，并且所述第一遮光膜和所述第二遮光膜可以由钨形成。

根据本技术的第一实施例的制造方法，包括以下步骤：形成第一遮光膜，所述第一遮光膜覆盖布置在感光单元附近的导电材料的至少一部分，所述感光单元通过对入射光执行光电转换而产生信号电荷；并且在所述第一遮光膜的表面的一部分或者全部上形成第二遮光膜。

第一遮光膜可以形成以覆盖导电材料的至少一部分，导电材料布置在感光单元附近，感光单元通过执行入射光的光电转换而产生信号电荷，并且第二遮光膜可以形成在第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。

根据本技术的第一实施例的成像单元，其包括：感光单元，其通过对来自物体的入射光执行光电转换而产生信号电荷；光学系统，其将来自所述物体的光引导到所述感光单元；所述感光单元附近的导电材料；第一遮光膜，其形成以覆盖所述导电材料的至少一部分；以及第二遮光膜，其形成在所述第一遮光膜的表面的一部分或者全部上。