[发明专利]导电栓塞及导电栓塞的形成方法有效
申请号: | 201210393120.3 | 申请日: | 2012-10-16 |
公开(公告)号: | CN103730433A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 韩秋华;黄敬勇 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/768 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种导电栓塞及导电栓塞的形成方法,其中,导电栓塞的形成方法包括:提供半导体衬底,在半导体衬底上形成有栅极,栅极两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区;在半导体衬底上形成应力层和位于应力层上的层间介质层,应力层覆盖栅极、源区和漏区;在层间介质层和应力层中形成接触孔;在接触孔的侧壁形成衬垫层;形成衬垫层后,清洗接触孔,以清除在形成接触孔过程中产生的聚合物,其中衬垫层用于防止应力层在清洗接触孔过程中遭到腐蚀;在形成接触孔后,在接触孔内沉积导电材料,形成导电栓塞。衬垫层的存在,可以避免后续清洗接触孔中聚合物时的应力层遭到腐蚀,进一步使得栅极与导电栓塞不会发生接触,确保半导体器件性能良好。 | ||
搜索关键词: | 导电 栓塞 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种导电栓塞的形成方法,其特征在于,包括:提供半导体衬底,在所述半导体衬底上形成有栅极,栅极两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区;在所述半导体衬底上形成应力层和位于所述应力层上的层间介质层,所述应力层覆盖所述栅极、源区和漏区;在所述层间介质层和应力层中形成接触孔;在所述接触孔的侧壁形成衬垫层;形成所述衬垫层后,清洗所述接触孔,以清除在形成接触孔过程中产生的聚合物,其中所述衬垫层用于防止所述应力层在清洗接触孔过程中遭到腐蚀;在形成所述接触孔后,在所述接触孔内沉积导电材料,形成导电栓塞。
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