[发明专利]导电栓塞及导电栓塞的形成方法

权利要求书

1.一种导电栓塞的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极，栅极两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区；

在所述半导体衬底上形成应力层和位于所述应力层上的层间介质层，所述应力层覆盖所述栅极、源区和漏区；

在所述层间介质层和应力层中形成接触孔；

在所述接触孔的侧壁形成衬垫层；

形成所述衬垫层后，清洗所述接触孔，以清除在形成接触孔过程中产生的聚合物，其中所述衬垫层用于防止所述应力层在清洗接触孔过程中遭到腐蚀；

在形成所述接触孔后，在所述接触孔内沉积导电材料，形成导电栓塞。

2.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述应力层的材料为类金刚石碳。

3.如权利要求2所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，形成应力层之前，还包括：在所述半导体衬底上形成氧化硅层。

4.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述衬垫层的材料为氧化硅。

5.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述在接触孔的侧壁形成衬垫层的方法包括：

在所述层间介质层上、接触孔的底部和侧壁沉积衬垫层；

去除层间介质层上、接触孔底部的衬垫层，剩余接触孔侧壁的衬垫层。

6.如权利要求5所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述沉积衬垫层的方法为化学气相沉积方法。

7.如权利要求6所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，在所述化学气相沉积方法中，沉积的温度范围为200～300℃，通入的气体包括硅烷气体和氧气。

8.如权利要求5所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述去除层间介质层上、接触孔底部的衬垫层的方法，使用光刻、刻蚀工艺。

9.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述在层间介质层和应力层中形成接触孔的方法，使用光刻、刻蚀工艺。

10.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述清洗接触孔，使用的清洗剂包括H₂SO₄和H₂O₂的混合溶液，或包括NH₄OH、H₂O₂和H₂O的混合溶液。

11.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述衬垫层的厚度为3～10nm。

12.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述提供半导体衬底，在栅极周围的半导体衬底上形成有侧墙，所述侧墙在形成所述应力层前被去除。

13.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述栅极的材料为多晶硅，在形成应力层之前，在所述栅极、源区和漏区上形成金属硅化物。

14.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述栅极作为伪栅极，所述伪栅极的材料为多晶硅，在形成应力层之前，在所述源区和漏区上形成金属硅化物。

15.如权利要求1所述的导电栓塞的形成方法，其特征在于，所述导电材料为钨或铜。

16.一种导电栓塞，其特征在于，包括：

位于半导体衬底上的接触孔，所述半导体衬底上还形成有栅极，栅极两侧的半导体衬底内形成有源区和漏区，在所述半导体衬底上还具有应力层和位于所述应力层上的层间介质层，所述应力层覆盖所述栅极、源区和漏区，其中，所述接触孔位于所述层间介质层和所述应力层中；

在所述接触孔侧壁形成有衬垫层，所述衬垫层用于防止所述应力层在清洗接触孔过程中遭到腐蚀；

在接触孔内填充有导电材料。

17.如权利要求16所述的导电栓塞，其特征在于，所述衬垫层的材料为氧化硅。

18.如权利要求16所述的导电栓塞，其特征在于，所述应力层的材料为类金刚石碳。

19.如权利要求16所述的导电栓塞，其特征在于，所述应力层与所述半导体衬底之间还具有氧化硅层。

20.如权利要求16所述的导电栓塞，其特征在于，所述导电材料为钨或铜。