[发明专利]高压LDMOS器件的等效电路及仿真方法

摘要

本发明公开了一种高压LDMOS器件的等效电路及仿真方法，高压LDMOS器件结构中，漏极轻参杂漂移区使得器件栅漏电容及栅体电容与传统MOSFET对应电容有明显差异，标准SPICE BSIM3模型无法准确模拟高压LDMOS独特的电容特性，本发明通过外接可变电容以精确模拟高压LDMOS栅漏、栅体电容，增加JFET以精确模拟轻掺杂漂移区电阻对高压LDMOS电流特性的影响，提高了仿真精度，缩短了电路设计周期。

主权项

一种高压LDMOS器件的等效电路，其特征在于：所述高压LDMOS器件等效电路包含一MOSFET、一JFET、一第一可变电容、一第二可变电容、一第一电阻和一第二电阻，其中：MOSFET的栅极与第一可变电容以及第二可变电容的正极连接，其漏极与第一可变电容的负极连接，其源极与第二可变电容的负极连接；JFET的源极连接到所述MOSFET的漏极，JFET的栅极连接到MOSFET的源极，JFET的漏极连接一第一电阻的第一端；所述MOSFET的源极，还连接一第二电阻的第一端；所述MOSFET的栅极、第一电阻的第二端、第二电阻的第二端分别是整个高压LDMOS器件等效电路的栅极、漏极、源极。