[发明专利]高压LDMOS器件的等效电路及仿真方法

权利要求书

1.一种高压LDMOS器件的等效电路，其特征在于：所述高压LDMOS器件等效电路包含一MOSFET、一JFET、一第一可变电容、一第二可变电容、一第一电阻和一第二电阻，其中：

MOSFET的栅极与第一可变电容以及第二可变电容的正极连接，其漏极与第一可变电容的负极连接，其源极与第二可变电容的负极连接；

JFET的源极连接到所述MOSFET的漏极，JFET的栅极连接到MOSFET的源极，JFET的漏极连接一第一电阻的第一端；

所述MOSFET的源极，还连接一第二电阻的第一端；

所述MOSFET的栅极、第一电阻的第二端、第二电阻的第二端分别是整个高压LDMOS器件等效电路的栅极、漏极、源极。

2.如权利要求1所述的高压LDMOS器件的等效电路，其特征在于：所述MOSFET是由SPICE程序提供，是一源漏对称，或者不对称的MOSFET。

3.如权利要求1所述的高压LDMOS器件的等效电路，其特征在于：所述第一可变电容表征LDMOS的栅漏电容，第二可变电容用于表征高压LDMOS的栅体电容，第一电阻表征高压LDMOS的漏极电阻，第二电阻表征高压LDMOS的源极电阻，是分别用于表示高压LDMOS的漏、源非对称电阻，JFET的源区用于表征高压LDMOS的不对称漏区，高压LDMOS的源极等效作为JFET的栅极，JFET用于模拟高压LDMOS器件的准饱和特性。

4.一种高压LDMOS器件的仿真方法，其特征在于：包含如下两个步骤：

步骤一，构建高压LDMOS器件的等效电路；

步骤二，利用构建的等效电路进行高压LDMOS器件的仿真。

5.如权利要求4所述的高压LDMOS器件的仿真方法，其特征在于：所述步骤一中，构建的高压LDMOS器件的等效电路包含元件有一MOSFET、一JFET、一第一可变电容、一第二可变电容、一第一电阻和一第二电阻，其中：

MOSFET的栅极与第一可变电容以及第二可变电容的正极连接，其漏极与第一可变电容的负极连接，其源极与第二可变电容的负极连接；

JFET的源极连接到所述MOSFET的漏极，JFET的栅极连接到MOSFET的源极，JFET的漏极连接一第一电阻的第一端；

所述MOSFET的源极，还连接一第二电阻的第一端；

所述MOSFET的栅极、第一电阻的第二端、第二电阻的第二端分别是整个高压LDMOS器件等效电路的栅极、漏极、源极。

6.如权利要求5所述的高压LDMOS器件的仿真方法，其特征在于：所述步骤一中MOSFET由SPICE程序提供，是一源漏对称，或者不对称的MOSFET。

7.如权利要求4所述的高压LDMOS器件的仿真方法，其特征在于：所述步骤二中，是通过第一可变电容模拟高压LDMOS的栅漏电容，第二可变电容用于模拟高压LDMOS的栅体电容，第一电阻模拟高压LDMOS的漏极电阻，第二电阻模拟高压LDMOS的源极电阻，是分别用于模拟高压LDMOS的漏、源非对称电阻，JFET用于模拟LDMOS的准饱和特性。

8.如权利要求4或7中所述的高压LDMOS器件的仿真方法，其特征在于：所述第一可变电容、第二可变电容的特征参数均能根据仿真需要通过窗口进行独立设置。

9.如权利要求4或7所述的高压LDMOS器件的仿真方法，其特征在于：所述第一电阻、第二电阻以及JFET的特征参数均能根据仿真需要通过窗口进行独立设置。