[发明专利]扩散机台有效
| 申请号： | 201210389832.8 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103730388A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 邱世维 | 申请（专利权）人： | 茂迪股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新北市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种扩散机台。此扩散机台包含一炉管、一炉门及一护盖。炉管包括一开口与一第一表面，此第一表面位于开口的外周围。炉门包括与第一表面对应的一第二表面，其中第二表面可与第一表面相互接触。护盖设于第一表面与第二表面中的至少一者上。 | ||
| 搜索关键词： | 扩散 机台 | ||
【主权项】：
一种扩散机台，其特征在于，包含：一炉管，包括一开口与一第一表面，该第一表面位于该开口的外周围；一炉门，包括与该第一表面对应的一第二表面，其中该第二表面可与该第一表面相互接触；及一护盖，设于该第一表面与该第二表面中的至少一者上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
