[发明专利]扩散机台有效
| 申请号: | 201210389832.8 | 申请日: | 2012-10-15 |
| 公开(公告)号: | CN103730388A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
| 发明(设计)人: | 邱世维 | 申请(专利权)人: | 茂迪股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国 |
| 地址: | 中国台湾新北市*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 扩散 机台 | ||
技术领域
本发明是有关于一种半导体制程机台,且特别是有关于一种扩散机台。
背景技术
在一般的扩散制程中,通常是将反应气体导入炉管中,反应气体在炉管中扩散并与基材表面产生所需的反应。然而,由于炉门与炉管的界面的封闭性不足,驱使部分的反应气体流向炉门与炉管的界面,而这些反应气体容易在炉门与炉管的交界处凝结,进而在此交界处形成液体甚至固体的残留。
这些制程液体与固体的残留极易腐蚀炉门与炉管的交界处的石英,而使炉门与炉管受损。炉门与炉管口受损后,保养人员需拆卸炉管与炉门。然,由于炉管与炉门的拆卸与安装需耗时超过二个的工作天,甚至若送修炉管,整个的维修时间更超过二周,严重影响生产或实验的进行。
因为,炉管与炉门的拆卸与安装实在太过耗时,所以目前在进行扩散机台的维修保养时,并不会拆卸炉管与炉门,而是以通入去离子水并于高温中形成水蒸气来清洗。但是,去离子水的清洗并无法有效去除炉门与炉管口的交界处残留的制程液体与固体,致使炉门与炉管口的交界处仍是容易受到制程液体与固体的腐蚀。
发明内容
因此,本发明的一方面就是在提供一种扩散机台,其在炉管开口处及/或炉门上设有护盖,可保护炉管与炉门。故,可大幅缩减炉管与炉门的拆卸更换时间,进而可增加产量。
本发明的另一方面是在提供一种扩散机台,其可有效避免炉管损伤,因此可无需送修炉管或是降低送修的次数,进而可避免生产或实验中断,大幅缩减机台的停机时间。
根据本发明的上述目的,提出一种扩散机台。此扩散机台包含一炉管、一炉门及一护盖。炉管包括一开口与一第一表面,此第一表面位于开口的外周围。炉门包括与第一表面对应的一第二表面,其中第二表面可与第一表面相互接触。护盖设于第一表面与第二表面中的至少一者上。
依据本发明的一实施例,上述的护盖设置在第一表面上。
依据本发明的另一实施例,上述的护盖具有二延伸部,此二延伸部分别垂直第一表面且同向延伸。
依据本发明的又一实施例,上述的二延伸部分别接触炉管的开口处的内管壁与外管壁。
依据本发明的再一实施例,上述的护盖配置在第二表面上。
依据本发明的再一实施例,上述的护盖包括一第一单元与一第二单元,第一单元设置在第一表面上,第二单元设置在第二表面上。
依据本发明的再一实施例,上述的护盖的材质包括石英。
依据本发明的再一实施例,上述的炉门闭合于炉管的开口时,第一表面、护盖与第二表面依序彼此接触。
依据本发明的再一实施例,于上述的炉门闭合于炉管的开口时,第一表面与第二表面相互平行。
附图说明
为让本发明的上述和其他目的、特征、优点与实施例能更明显易懂,所附附图的说明如下:
图1是绘示依照本发明的一实施方式的一种扩散机台的剖面示意图;
图2是绘示图1的扩散机台的局部放大图;
图3是绘示依照本发明的一实施方式的一种护盖的第一单元的立体图;
图4是绘示依照本发明的一实施方式的一种护盖的第二单元的立体图。
【主要元件符号说明】
100:扩散机台 102:炉管
104:开口 106:进气口
108:炉门 110:第一单元
112:第二单元 114:护盖
116:第一表面 118:第二表面
120:延伸部 122:延伸部
124:内管壁 126:外管壁
128:保护部 130:保护部
132:延伸部 134:卡勾
136:反应腔室 138:外侧面
140:底面
具体实施方式
请参照图1与图2,其是分别绘示依照本发明的一实施方式的一种扩散机台的剖面示意图、以及图1的扩散机台的局部放大图。在本实施方式中,扩散机台100主要可包含炉管102、炉门108与护盖114。在一实施例中,扩散机台100可适用以进行太阳能电池的扩散制程。由于扩散制程的反应温度通常相当高,因此炉管102、炉门108与护盖114的材质可包含石英。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





