[发明专利]金属氧化物半导体装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210387057.2 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN103730495A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;吴锡垣;林正基;连士进 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 宋焰琴 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属氧化物半导体装置及其制造方法，该改良的金属氧化物半导体装置包括：一p衬底；一高电压n阱，配置在该p衬底中；一第一p阱，形成于具有一第一p+掺杂区的该p衬底中；一第二p阱，形成于具有邻近一n+掺杂源极区的一第二p+掺杂区的该HVNW中；一离散p顶端区，具有多个配置在该HVNW中的p顶端段；以及一n阶区，配置在该离散p顶端区之上，其中，该多个p顶端段的每一个具有一段离该n阶区的距离以定义多个距离，具有一宽度以定义多个宽度，并具有一段与一邻近p顶端段的分离距离以定义多个分离距离。藉此，p顶层是由一连串的离散设置的P型顶端扩散区所定义。本发明亦提供用于制造本发明的MOS装置的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种金属氧化物半导体(MOS)装置，包括：一p衬底；一高电压n阱(HVNW)，配置在该p衬底中；一第一p阱，形成于具有一第一p+掺杂区的该p衬底中；一第二p阱，形成于具有邻近一n+掺杂源极区的一第二p+掺杂区的该HVNW中；一离散p顶端区，具有多个配置在该HVNW中的p顶端段；以及一n阶区(n‑grage region)，配置在该离散p顶端区之上，其中，该多个p顶端段的每一个具有一段离该n阶区的距离以定义多个距离，具有一宽度以定义多个宽度，并具有一段与一邻近p顶端段的分离距离以定义多个分离距离。
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