[发明专利]能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法有效
| 申请号： | 201210383898.6 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102874746A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 龙永福;张晋平;雷立云;胡惟文;曹斌芳;张爱龙;王津;彭元杰 | 申请（专利权）人： | 湖南文理学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 常德市长城专利事务所 43204 | 代理人： | 蔡大盛 |
| 地址： | 415000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 一种能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，是通过采用递减腐蚀电流密度的方法，减少纵向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蚀电流条件下随腐蚀深度增加导致增加的多孔度或减少折射率，从而使两者达到动态平衡状态，来提高多孔硅薄膜的沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性。其特点和进步表现在：因本发明是通过递减腐蚀电流密度来改善多孔硅单层膜纵向物理微结构和光学特性的均匀性；因此提高了多孔硅薄膜沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性；有利于建立多孔硅多层膜界面之间平整度；有利于探索使用均匀性和界面平整度改善后的多孔硅多层膜用于光子器件中实现方案，如布拉格反射镜和微腔等，有可能实现多孔硅微腔任意波长激射。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 多孔 薄膜 物理 微结构 光学 特性 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，其特征是：本发明通过采用递减腐蚀电流密度的方法，减少纵向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蚀电流条件下随腐蚀深度增加导致增加的多孔度或减少折射率，从而使两者达到动态平衡状态，来提高多孔硅薄膜的沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性。
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