[发明专利]能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法有效
| 申请号： | 201210383898.6 | 申请日： | 2012-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN102874746A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 龙永福;张晋平;雷立云;胡惟文;曹斌芳;张爱龙;王津;彭元杰 | 申请（专利权）人： | 湖南文理学院 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 常德市长城专利事务所 43204 | 代理人： | 蔡大盛 |
| 地址： | 415000 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 多孔 薄膜 物理 微结构 光学 特性 均匀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，其特征是：
本发明通过采用递减腐蚀电流密度的方法，减少纵向方向的多孔度或提高折射率，抵消在恒腐蚀电流条件下随腐蚀深度增加导致增加的多孔度或减少折射率，从而使两者达到动态平衡状态，来提高多孔硅薄膜的沿纵向方向上的物理微结构和光学特性的均匀性。
2.权利要求1所述能提高多孔硅薄膜物理微结构及光学特性均匀性的方法，其特征是，它包括如下步骤：
⑴、使用TekVisa AFG3101任意波形发生器和电压电流变换电路，产生递减腐蚀电流；
⑵、选择电阻率为0.007~1Ω.cm的P型硅衬底材料，设定需要的多孔硅薄膜的多孔度30%~90%及物理厚度0.01~500μm物理量的大小，调节电压电流变换电路，使输出的递减腐蚀电流密度为4~150mA/cm2内由高逐渐到低对P型硅衬底材料进行腐蚀，腐蚀时间为10S~130Min；
⑶、制备完毕后，将多孔硅薄膜放入与腐蚀液相同温度的乙醇溶液中直到室温，然后使用去离子水冲洗，最后在空气中干燥；
⑷、检验合格后即为成品。
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