[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体晶体管的制造方法，在本发明中，在形成半导体器件的栅极线条和源漏区域之后，通过两次刻蚀STI结构，暴露出源漏区域下方的半导体衬底的部分侧面，并以此侧面对衬底进行湿法腐蚀，形成SON晶体管。本发明形成SON晶体管的步骤简明，便于控制，在形成具有低泄漏电流的SON晶体管的同时，不会过多增加工艺成本和复杂性。

主权项

一种SON半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，栅极线条，栅极侧墙和源漏区域，所述栅极线条包括栅极绝缘层，栅极，栅极硬掩膜，所述栅极线条的两端位于所述STI结构之上；首次刻蚀部分厚度的所述STI结构，使所述STI结构的上表面低于所述源漏区域的底面；全面地沉积侧壁保护材料，并通过各向异性刻蚀，去除半导体器件结构上表面上的所述侧壁保护材料，仅保留位于半导体器件结构侧面的所述侧壁保护材料，从而形成侧壁保护层；再次刻蚀部分厚度的所述STI结构，暴露出所述源漏区域下方的所述半导体衬底的部分侧面；以暴露出的所述源漏区域下方的所述半导体衬底的部分侧面为反应界面，对所述半导体衬底进行湿法腐蚀，使所述源漏区域下方的所述半导体衬底被部分或全部去除，形成空洞；其中，由于所述栅极线条的两端坐落在所述STI结构之上，半导体器件的结构会得到部分所述STI结构的支撑，不会因为所述源漏区域以及半导体器件沟道区下方的所述半导体衬底被掏空而塌陷。