[发明专利]半导体器件制造方法

权利要求书

1.一种SON半导体器件制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成STI结构，栅极线条，栅极侧墙和源漏区域，所述栅极线条包括栅极绝缘层，栅极，栅极硬掩膜，所述栅极线条的两端位于所述STI结构之上；

首次刻蚀部分厚度的所述STI结构，使所述STI结构的上表面低于所述源漏区域的底面；

全面地沉积侧壁保护材料，并通过各向异性刻蚀，去除半导体器件结构上表面上的所述侧壁保护材料，仅保留位于半导体器件结构侧面的所述侧壁保护材料，从而形成侧壁保护层；

再次刻蚀部分厚度的所述STI结构，暴露出所述源漏区域下方的所述半导体衬底的部分侧面；

以暴露出的所述源漏区域下方的所述半导体衬底的部分侧面为反应界面，对所述半导体衬底进行湿法腐蚀，使所述源漏区域下方的所述半导体衬底被部分或全部去除，形成空洞；

其中，由于所述栅极线条的两端坐落在所述STI结构之上，半导体器件的结构会得到部分所述STI结构的支撑，不会因为所述源漏区域以及半导体器件沟道区下方的所述半导体衬底被掏空而塌陷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底进行湿法腐蚀，还包括使所述源漏区域之间的沟道区下方的所述半导体衬底被部分或全部去除。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧壁保护层的材料为氧化硅、氮化硅或高K绝缘材料，厚度为1-100nm。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述侧壁保护层的高K绝缘材料为氧化铪。

5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述侧壁保护层的厚度优选为10-30nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在首次刻蚀部分厚度的所述STI结构之前，形成保护介质层，所述保护介质层用以保护晶体管有源区，使晶体管有源区不会在两次刻蚀所述STI结构和湿法腐蚀所述半导体衬底时受到损伤。