[发明专利]用于半导体器件的测试方法

摘要

根据本发明的实施例，一种制造半导体器件的方法包括提供晶圆，晶圆具有顶面和相对的底面。顶面包括多个切割通道。该晶圆包括邻近顶面的多个晶片。多个晶片中的每个晶片通过多个切割通道的一个切割通道与多个晶片中的另一个晶片隔开。沟道从顶面形成在晶圆中。沟道沿多个切割通道定向。沟道形成后，对多个晶片进行测试，以识别第一类晶片，第一类晶片待与多个晶片中的其余晶片分离。测试多个晶片后，从背面对晶圆进行磨削加工。该磨削加工将该晶圆分成多个晶片。

主权项

一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：提供具有顶面和相对的底面的晶圆，所述顶面包括多个切割通道，其中，所述晶圆包括与所述顶面邻近的多个晶片，其中，所述多个晶片中的每个晶片通过所述多个切割通道中的一个切割通道与所述多个晶片的另一个晶片分开；从所述顶面在所述晶圆中形成沟道，所述沟道沿所述多个切割通道而定向；在形成沟道之后，测试所述多个晶片，以识别所述多个晶片中的第一类晶片，被识别的所述第一类晶片与所述多个晶片中的其余晶片分离；以及在测试所述多个晶片之后，从背面磨削所述晶圆，以将所述晶圆分离成所述多个晶片。