[发明专利]用于半导体器件的测试方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有顶面和相对的底面的晶圆，所述顶面包括多个切割通道，其中，所述晶圆包括与所述顶面邻近的多个晶片，其中，所述多个晶片中的每个晶片通过所述多个切割通道中的一个切割通道与所述多个晶片的另一个晶片分开；

从所述顶面在所述晶圆中形成沟道，所述沟道沿所述多个切割通道而定向；

在形成沟道之后，测试所述多个晶片，以识别所述多个晶片中的第一类晶片，被识别的所述第一类晶片与所述多个晶片中的其余晶片分离；以及

在测试所述多个晶片之后，从背面磨削所述晶圆，以将所述晶圆分离成所述多个晶片。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，测试所述多个晶片包括同时测试所述多个晶片中的至少二十个晶片。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在将所述晶圆分离成所述多个晶片之后从所述多个晶片移除所述第一类晶片。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶圆中形成沟道包括使用机械锯解工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述切割通道的宽度是约10μm至约150μm。

6.根据权利要求4所述的方法，进一步包括，利用蚀刻工艺来平滑所述沟道的侧壁。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述晶圆中形成沟道包括使用等离子切割工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述切割通道的宽度是约5μm至约50μm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述切割通道的深度约为所述晶圆中的器件区域的厚度。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述多个晶片不包括背侧金属化。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体器件是芯片尺寸封装件。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，测试所述多个晶片包括使用电测试。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，测试所述多个晶片包括使用成像工具。

14.一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：

提供具有顶面和相对的底面的晶圆，所述顶面包括多个切割通道，其中，所述晶圆包括与所述顶面邻近的多个晶片，其中，所述多个晶片中的每个晶片通过所述多个切割通道中的一个切割通道与所述多个晶片中的另一个晶片隔开；

使用光阻层涂覆所述晶圆的顶面；

图案化所述光阻层，以露出所述顶面的一部分；

通过等离子切割工艺，使用图案化的光阻层来蚀刻所述晶圆中的沟道，所述沟道沿所述多个切割通道定向；

在形成沟道之后，测试所述多个晶片，以识别所述多个晶片中的缺陷晶片；以及

在测试所述多个晶片之后，从背面磨削所述晶圆，以将所述晶圆分离成所述多个晶片。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述切割通道的宽度是约5μm至约50μm。

16.根据权利要求14所述的方法，其中，所述切割通道的深度约是所述晶圆中的器件区域的厚度。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述切割通道的深度是约50μm至约500μm。

18.根据权利要求14所述的方法，其中，所述多个晶片不包括背侧金属化。

19.根据权利要求14所述的方法，其中，所述半导体器件是芯片尺寸封装件。