[发明专利]从非易失性存储器读数据的方法及实施方法的设备和系统无效
| 申请号： | 201210371210.2 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN103035294A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李相勋;金成彬;金眩奭;裵成桓;白种南 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 侯广 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了执行读重试的方法和用于执行这样的方法的设备，所述方法包括利用新的读参数读取非易失性存储器。读重试操作和/或后续读重试操作可以在确定这样的读重试操作被批准之前开始和/或完成。例如，可以利用施加于页面的字线的新的读电压电平在读重试操作中读取NAND闪速存储器的页面。例如，可以在确定目标页面的先前读取的数据页面的错误无法通过ECC操作纠正之前对目标页面执行读重试操作。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 读数 方法 实施 设备 系统 | ||
【主权项】：
一种操作非易失性存储器的方法，包括：发出第一读命令，其命令非易失性存储器执行非易失性存储器的第一页面的第一次读取；接收从第一次读取产生的第一读取数据页面；确定从第一次读取产生的第一读取数据页面具有不会被纠错电路纠正的错误；响应于确定步骤，发出第二读命令，其命令非易失性存储器以与执行第一次读取时使用的操作参数不同的操作参数再次执行第一页面的第二次读取；接收从第二次读取产生的第二读取数据页面；分析从第二次读取产生的第二读取数据页面是否具有不会被纠错电路纠正的错误；以及在分析步骤完成之前，发出第三读命令，其命令非易失性存储器以与执行第一次读取时使用的操作参数不同并且与执行第二次读取时使用的操作参数不同的操作参数再次执行第一页面的第三次读取。
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