[发明专利]从非易失性存储器读数据的方法及实施方法的设备和系统

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求2011年9月28日提交的韩国专利申请No.10-2011-0098579的优先权，通过引用将其公开整体合并于此。

技术领域

本发明涉及半导体存储器件，且更具体地，涉及从非易失性存储器件读取数据的方法以及用于其的装置，诸如存储器控制器、非易失性存储器件、和存储系统。

背景技术

存储器件可以是易失性存储器件或者非易失性存储器件。易失性存储器件包括动态随机存取存储器（DRAM）器件和静态随机存取存储器（SRAM）器件。非易失性存储器件包括闪速存储器件、电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）器件、和电阻存储器件。

在某些存储器件中，例如，在诸如闪速存储器的非易失性存储器件中，随着编程/擦除循环数量的增加，可靠性降低。可以使用纠错编码（ECC）电路来纠正在从闪速存储器件读取的数据中的错误。当难以或者无法使用ECC电路来纠正错误时，可以执行数据读取重试。

发明内容

一些实施例提供从非易失性存储器件读取数据的方法，以提高非易失性存储器件的可靠性和/或读取速度。还公开了存储器控制器、非易失性存储器件、以及包括存储器控制器和非易失性存储器件的可以执行所公开的方法的全部或部分的存储系统。

在一个示例中，一种操作非易失性存储器的方法可以包括：发出第一读命令，其命令非易失性存储器执行非易失性存储器的第一页面的第一次读取；接收从第一次读取产生的第一读取数据页面；确定从第一次读取产生的第一读取数据页面具有不会被纠错电路纠正的错误；响应于确定步骤，发出第二读命令，其命令非易失性存储器以与执行第一次读取时使用的操作参数不同的操作参数再次执行第一页面的第二次读取；接收从第二次读取产生的第二读取数据页面；分析从第二次读取产生的第二读取数据页面是否具有不会被纠错电路纠正的错误；以及在分析步骤完成之前，发出第三读命令，其命令非易失性存储器以与执行第一次读取时使用的操作参数不同并且与执行第二次读取时使用的操作参数不同的操作参数再次执行第一页面的第三次读取。还公开了可以执行该方法及其替换方案的设备。

可以在接收从第二次读取产生的第二读取数据页面的步骤已完成之前，或者在接收从第二次读取产生的第二读取数据页面的任何数据之前，发出第三读命令。

第一页面可以被存储在第一物理页面中，并且操作参数可以代表非易失性存储器用来确定第一物理页面的多个存储单元中的每一个的存储单元数据的读基准电压的量值。

非易失性存储器可以是NAND闪速存储器，并且操作参数可以代表施加于非易失性存储器的第一物理页面的字线用于确定第一物理页面的多个存储单元中的每一个的存储单元数据的读基准电压的量值。

第二读命令和第三读命令均可以命令非易失性闪速存储器利用在对应的读操作期间顺次施加于第一物理页面的字线的两个新的读基准电压来读取MLC NAND闪速存储器。

第二读命令和第三读命令中的每一个均可以为读重试命令。读重试命令可以是唯一的，并与用于读重试操作的唯一的命令码相关联。读重试命令可以包括或者不包括代表对应的操作参数的值。可以从读重试表（例如，在存储器控制器工作存储器中，或者在非易失性存储器中）检索该对应的操作参数。

第二读命令和第三读命令（其可以是读重试命令）可以不包含任何地址信息。

所述方法和设备可以在发出第一电平设置命令和第二电平设置命令的每一个之前确定非易失性存储器的存储器阵列并非正在执行读操作。

一种操作NAND闪速存储器的方法可以包括：第一次读取NAND闪速存储器的第一页面以获取第一读取数据页面；然后，在完成对第一读取数据页面的纠错操作之前，发出读命令，该读命令导致利用至少一个调整的读电压第二次读取第一页面。还公开了可以执行这些操作的设备。