[发明专利]从非易失性存储器读数据的方法及实施方法的设备和系统

权利要求书

1.一种操作非易失性存储器的方法，包括：

发出第一读命令，其命令非易失性存储器执行非易失性存储器的第一页面的第一次读取；

接收从第一次读取产生的第一读取数据页面；

确定从第一次读取产生的第一读取数据页面具有不会被纠错电路纠正的错误；

响应于确定步骤，发出第二读命令，其命令非易失性存储器以与执行第一次读取时使用的操作参数不同的操作参数再次执行第一页面的第二次读取；

接收从第二次读取产生的第二读取数据页面；

分析从第二次读取产生的第二读取数据页面是否具有不会被纠错电路纠正的错误；以及

在分析步骤完成之前，发出第三读命令，其命令非易失性存储器以与执行第一次读取时使用的操作参数不同并且与执行第二次读取时使用的操作参数不同的操作参数再次执行第一页面的第三次读取。

2.如权利要求1所述的方法，其中，在接收从第二次读取产生的第二读取数据页面的步骤完成之前，发出第三读命令。

3.如权利要求1所述的方法，其中，在接收从第二次读取产生的第二读取数据页面的任何数据之前，发出第三读命令。

4.如权利要求1所述的方法，

其中，第一页面被存储在第一物理页面中，并且

其中，操作参数代表非易失性存储器用来确定第一物理页面的多个存储单元中的每一个的存储单元数据的读基准电压的量值。

5.如权利要求1所述的方法，

其中，第一页面被存储在第一物理页面中，

其中，非易失性存储器是NAND闪速存储器，并且

其中，操作参数代表施加于非易失性存储器的第一物理页面的字线用于确定第一物理页面的多个存储单元中的每一个的存储单元数据的读基准电压的量值。

6.如权利要求1所述的方法，

其中，第一页面被存储在第一物理页面中，

其中，非易失性存储器是多电平单元（MLC）NAND闪速存储器，并且

其中，第二读命令和第三读命令均命令非易失性闪速存储器利用两个新的读基准电压来读取MLC NAND闪速存储器，所述两个新的读基准电压在对应的读操作期间被顺次施加于第一物理页面的字线。

7.如权利要求1所述的方法，其中，第二读命令和第三读命令中的每一个均为读重试命令，并且包括代表对应的操作参数的值。

8.如权利要求7所述的方法，

其中，从读重试表中检索代表与第二次读取相关联的对应的操作参数的值和代表用于第三次读取的对应的操作参数的值。

9.如权利要求8所述的方法，其中，存储器控制器发出第一读命令、第二读命令和第三读命令，并且包括读重试表。

10.如权利要求1所述的方法，其中，第二读命令和第三读命令中的每一个均不包括任何地址信息。

11.如权利要求1所述的方法，进一步包括：

在发出第二读命令之前，发出第一电平设置命令，第一电平设置命令可操作以在非易失性存储器中设置用于第二次读取的操作参数；以及

在发出第三读命令之前，发出第二电平设置命令，第二电平设置命令可操作以在非易失性存储器中设置用于第三次读取的操作参数。

12.如权利要求11所述的方法，进一步包括：在发出第一电平设置命令和第二电平设置命令的每一个之前，确定非易失性存储器的存储器阵列并非正在执行读操作。

13.一种操作NAND闪速存储器的方法，包括：

第一次读取NAND闪速存储器的第一页面以获取第一读取数据页面；以及

然后，在完成对第一读取数据页面的纠错操作之前，发出读命令，该读命令导致利用至少一个调整的读电压第二次读取第一页面。

14.一种操作非易失性存储器的方法，包括：

利用第一读操作参数第一次读取非易失性存储器的页面以获取第一读取数据页面，并将第一读取数据页面存储在非易失性存储器的第一寄存器中；

将第一读取数据页面从第一寄存器传送到非易失性存储器的第二寄存器；

将第一读取数据页面从第二寄存器传送到存储器控制器；以及

在将第一读取数据页面从第二寄存器传送到存储器控制器的同时，使用与第一读操作参数不同的第二读操作参数再次第二次读取数据的页面。