[发明专利]一种功率双极型晶体管及其制备方法

摘要

一种功率双极型晶体管及其制备方法，属于半导体器件与工艺制造领域。所述功率双极型晶体管由下到上依次包括：集电区金属电极，由第一导电类型半导体材料构成的集电区，由第二导电类型半导体材料构成的基区；基区的上方分别具有与基区表面接触的基区金属电极和由第一导电类型半导体材料构成的发射区；发射区的上方具有与发射区表面接触的发射区金属电极；发射区的侧壁与基区金属电极之间，以及基区金属电极与发射区金属电极之间填充隔离介质。由于发射区的侧壁被介质层包围，避免了基极电流直接从基区接触流入发射区的侧壁，缓解了电流集边效应。同时通过在隔离介质上挖孔制作基区金属电极，不会增加基区寄生电阻，对功率双极型晶体管输出功率没有影响。

主权项

一种功率双极型晶体管，由下到上依次包括：集电区金属电极（1），由第一导电类型半导体材料构成的集电区（2），由第二导电类型半导体材料构成的基区（3）；基区（3）的上方分别具有与基区（3）表面接触的基区金属电极（6）和由第一导电类型半导体材料构成的发射区（4）；发射区（4）的上方具有与发射区（4）表面接触的发射区金属电极（7）；发射区（4）的侧壁与基区金属电极（6）之间，以及基区金属电极（6）与发射区金属电极（7）之间填充隔离介质（5）。