[发明专利]一种功率双极型晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种功率双极型晶体管，由下到上依次包括：集电区金属电极（1），由第一导电类型半导体材料构成的集电区（2），由第二导电类型半导体材料构成的基区（3）；基区（3）的上方分别具有与基区（3）表面接触的基区金属电极（6）和由第一导电类型半导体材料构成的发射区（4）；发射区（4）的上方具有与发射区（4）表面接触的发射区金属电极（7）；发射区（4）的侧壁与基区金属电极（6）之间，以及基区金属电极（6）与发射区金属电极（7）之间填充隔离介质（5）。

2.一种功率双极型晶体管的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：采用第一导电类型半导体衬底作为功率双极型晶体管的集电区（2），在集电区（2）表面外压生长一层第一导电类型半导体材料；然后在外压生长的第一导电类型半导体材料中进行第二导电类型掺杂，形成第二导电类型半导体材料构成的功率双极型晶体管的基区（3）；

步骤2：在基区（3）表面进行第一导电类型掺杂，形成一层位于基区（3）表面的第一导电类型半导体材料；

步骤3：光刻基区（3）表面的第一导电类型半导体材料，形成第一导电类型半导体材料构成的发射区（4），刻蚀区域应完全露出基区（3）表面；

步骤4：在步骤3的刻蚀区域和发射区（4）表面热氧化生长一层薄氧化层，再淀积厚氧化层，将步骤（3）的刻蚀区域填平；其中氧化层作为功率双极型晶体管的隔离介质（5）；

步骤5：光刻氧化层，在发射区（4）表面形成发射区欧姆接触孔，在基区（3）表面形成基区欧姆接触孔；

步骤6：在发射区欧姆接触孔内沉积金属形成发射区金属电极（7），在基区欧姆接触孔内沉积金属形成基区金属电极（6），在集电区（2）背面沉积金属形成集电区金属电极（1）。