[发明专利]CMOS图像传感器列共享2×2像素单元及像素阵列有效
申请号: | 201210359828.7 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN102868866A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 郭同辉;陈杰;刘志碧;旷章曲;唐冕 | 申请(专利权)人: | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H01L27/146 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种CMOS图像传感器列共享2×2像素单元及像素阵列,由4个像素排列成2×2像素阵列作为一组像素单元;每组像素单元的前列两个像素和后列两个像素分别在列内共享选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区;CMOS图像传感器二维像素阵列中金属连线使用两层金属线进行连接,仅使用第0层金属线和第1层金属线作为器件的控制线而实现采集图像信息功能,不使用第2层或更高层金属线作为器件控制线,可降低光电二极管Si表面上的介质高度,使得更多的光入射到光电二极管,能够提高小面积像素传感器的用光效率和转换增益,从而提高灵敏度,可以有效提高小面积像素图像传感器的图像品质。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 共享 像素 单元 阵列 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器列共享2×2像素单元,单个像素包括光电二极管、电荷传输晶体管、选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管、漂浮有源区及金属连线,其特征在于:由4个像素排列成2X2像素阵列作为一组像素单元;每组像素单元的前列两个像素和后列两个像素分别在列内共享选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区;所述前列两个像素共享的选择晶体管和源跟随晶体管位于像素单元的顶部,所述后列两个像素共享的选择晶体管和源跟随晶体管位于像素单元的底部。
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