[发明专利]CMOS图像传感器列共享2×2像素单元及像素阵列有效
申请号: | 201210359828.7 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN102868866A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 郭同辉;陈杰;刘志碧;旷章曲;唐冕 | 申请(专利权)人: | 北京思比科微电子技术股份有限公司 |
主分类号: | H04N5/374 | 分类号: | H04N5/374;H01L27/146 |
代理公司: | 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 | 代理人: | 郑立明;赵镇勇 |
地址: | 100085 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 共享 像素 单元 阵列 | ||
1.一种CMOS图像传感器列共享2×2像素单元,单个像素包括光电二极管、电荷传输晶体管、选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管、漂浮有源区及金属连线,其特征在于:
由4个像素排列成2X2像素阵列作为一组像素单元;
每组像素单元的前列两个像素和后列两个像素分别在列内共享选择晶体管、源跟随晶体管、复位晶体管和漂浮有源区;
所述前列两个像素共享的选择晶体管和源跟随晶体管位于像素单元的顶部,所述后列两个像素共享的选择晶体管和源跟随晶体管位于像素单元的底部。
2.根据权利要求1所述的CMOS图像传感器列共享2×2像素单元,其特征在于,所述漂浮有源区与源跟随晶体管栅极在列方向上用第1层金属连线连接,该金属连线与电源金属连线不相邻。
3.一种CMOS图像传感器像素阵列,其特征在于,包括多组权利要求1或2所述的CMOS图像传感器列共享2×2像素单元,多组像素单元在垂直和水平方向上排列成为二维像素阵列,所述二维像素阵列中金属连线使用两层金属线进行连接,包括第0层金属线和第1层金属线。
4.根据权利要求3所述的CMOS图像传感器像素阵列,其特征在于:
所述二维像素阵列中,在列方向上同列像素间的电源线和列输出线使用第1层金属连线;
所述二维像素阵列中,在行方向上同行像素间的晶体管器件控制线使用第0层金属连线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京思比科微电子技术股份有限公司,未经北京思比科微电子技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210359828.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。