[发明专利]微波处理装置和被处理体的处理方法无效
申请号: | 201210358530.4 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN103021845A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 芦田光利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供微波处理装置和被处理体的处理方法。在微波处理装置中对被处理体进行均匀的处理。微波处理装置(1)包括:收容晶片W的处理容器(2)、微波导入装置(3)和控制部(8)。微波导入装置(3)具有生成微波的多个磁控管(31),控制部(8)对多个磁控管(31)进行控制,使得在用于处理被处理体W的状态继续的期间,在将多个磁控管(31)的各个任意地组合而成的多个组合的每一个中,并且,在各个组合内同步地,将生成微波的状态与不生成微波的状态交替地反复多次。 | ||
搜索关键词: | 微波 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种微波处理装置,其特征在于,包括:收容被处理体的处理容器;生成用于处理所述被处理体的微波并导入所述处理容器的微波导入装置;和控制所述微波导入装置的控制部,所述微波导入装置具有生成所述微波的多个微波源,能够将多个所述微波同时导入所述处理容器,所述控制部控制所述多个微波源,使得在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,在将所述多个微波源的各个任意地组合而成的多个组合的每一个中,并且,在各个组合内同步地将生成所述微波的状态与不生成所述微波的状态交替地反复多次。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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