[发明专利]微波处理装置和被处理体的处理方法无效
申请号: | 201210358530.4 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN103021845A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 芦田光利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 微波 处理 装置 方法 | ||
1.一种微波处理装置,其特征在于,包括:
收容被处理体的处理容器;
生成用于处理所述被处理体的微波并导入所述处理容器的微波导入装置;和
控制所述微波导入装置的控制部,
所述微波导入装置具有生成所述微波的多个微波源,能够将多个所述微波同时导入所述处理容器,
所述控制部控制所述多个微波源,使得在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,在将所述多个微波源的各个任意地组合而成的多个组合的每一个中,并且,在各个组合内同步地将生成所述微波的状态与不生成所述微波的状态交替地反复多次。
2.如权利要求1所述的微波处理装置,其特征在于:
所述控制部,在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,将包含在所述多个组合的各个组合中的微波源的一部分进行替换。
3.如权利要求2所述的微波处理装置,其特征在于:
所述微波导入装置,具有第一微波源至第四微波源作为所述多个微波源,
所述控制部,在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,将包含所述第一微波源至第四微波源中的两个微波源的第一组合中所包含的两个微波源中的一个,与包含所述第一微波源至第四微波源中的其它两个微波源的第二组合中所包含的两个微波源中的一个进行替换。
4.如权利要求3所述的微波处理装置,其特征在于:
所述第一组合包括所述第一微波源以及所述第三微波源和所述第四微波源中的一个,
所述第二组合包括所述第二微波源以及所述第三微波源和所述第四微波源中的另一个,
所述控制部,在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,将包含于所述第一组合中的所述第三微波源和所述第四微波源中的一个、与包含于所述第二组合中的所述第三微波源和所述第四微波源中的另一个进行替换。
5.如权利要求3或4所述的微波处理装置,其特征在于:
所述处理容器具有将在所述第一微波源至第四微波源的各个微波源中生成的所述微波导入所述处理容器的第一微波导入端口至第四微波导入端口,
所述第一微波导入端口至所述第四微波导入端口设置在所述处理容器的上部,
所述第一组合和所述第二组合分别为:将生成通过所述第一微波导入端口至所述第四微波导入端口中的在周向相邻的两个端口导入的两个微波的两个微波源组合而成的组合。
6.如权利要求2~4中任一项所述的微波处理装置,其特征在于:
将包含于所述多个组合的各个组合中的微波源的一部分替换的周期为,每一次生成所述微波的状态的时间的150倍至500倍的范围内。
7.如权利要求1~4中任一项所述的微波处理装置,其特征在于:
所述微波用于被照射至所述被处理体而对所述被处理体进行处理。
8.一种处理方法,其特征在于:
使用微波处理装置对被处理体进行处理,所述微波处理装置具备:收容所述被处理体的处理容器;和生成用于处理所述被处理体的微波并导入所述处理容器中的微波导入装置,
所述微波导入装置具有生成所述微波的多个微波源,能够将多个所述微波同时导入所述处理容器中,
控制所述多个微波源,使得在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,在将所述多个微波源的各个任意地组合而成的多个组合的每一个中,并且在各个组合内同步地将生成所述微波的状态与不生成所述微波的状态交替地反复多次。
9.如权利要求8所述的处理方法,其特征在于:
在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,将包含在所述多个组合的各个组合中的微波源的一部分进行替换。
10.如权利要求9所述的处理方法,其特征在于:
所述微波导入装置,具有第一微波源至第四微波源作为所述多个微波源,
在用于处理所述被处理体的状态继续的期间,将包含所述第一微波源至第四微波源中的两个微波源的第一组合中所包含的两个微波源中的一个,与包含所述第一微波源至第四微波源中的其它两个微波源的第二组合中所包含的两个微波源中的一个进行替换。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造