[发明专利]微波处理装置和被处理体的处理方法

说明书

技术领域

本发明涉及将微波导入处理容器进行规定的处理的微波处理装置和使用微波处理装置的被处理体的处理方法。

背景技术

在半导体设备的制造过程中，对于作为被处理基板的半导体晶片实施成膜处理、蚀刻处理、氧化扩散处理、改性处理、退火处理等各种的热处理。这样的热处理，通常使用具备加热用的灯或加热器的基板处理装置，通过对半导体晶片进行加热而进行处理。

但是，近年来，作为对半导体晶片实施热处理的装置，公知使用微波代替灯或加热器的装置。例如，在专利文献1中记载有，使用微波能量，进行硬化、退火（anneal）、膜形成的热处理系统。另外，在专利文献2中记载有，对表面形成有成膜材料层的半导体晶片照射电磁波（微波），由此加热成膜材料形成薄膜的热处理装置。在这样的微波处理装置中，尤其，可以说能够抑制杂质的扩散并且形成浅的活性层，修复栅格缺陷。

在专利文献1记载的微波处理装置中，作为生成微波的微波源，设置有多个磁控管。此外，虽不是在专利文献1和专利文献2记载的微波处理装置，在专利文献3中记载有，具备多个磁控管高频振荡部的微波等离子体放电处理装置。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2009-516375号公报

专利文献2：日本特开2010-129790号公报

专利文献3：日本特开2005-259633号公报

发明内容

但是，导入到处理容器的微波在处理容器内形成驻波。在用于对被处理体进行处理的状态继续的期间，当该驻波的波腹和波节的位置被固定时，产生加热不均等，可能不能对被处理体进行均匀的处理。

本发明鉴于上述的问题而完成，其目的在于提供能够对被处理体进行均匀的处理的微波处理装置和使用微波处理装置的被处理体的处理方法。

本发明的微波处理装置具备：

收容被处理体的处理容器；

生成用于处理所述被处理体的微波并导入所述处理容器中的微波导入装置；和

控制所述微波导入装置的控制部。

本发明的被处理体的处理方法是：

使用微波处理装置对被处理体进行处理的方法，上述微波处理装置具备：收容被处理体的处理容器；和生成用于处理被处理体的微波并导入处理容器中的微波导入装置。

在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，微波导入装置具有生成微波的多个微波源，能够将多个微波同时导入所述处理容器中。

本发明的控制部控制多个微波源，使得在用于处理所述被处理体的状态继续的期间，在将多个微波源的各个任意地组合而成的多个组合的每一个中，并且，在各个组合内同步地将生成微波的状态与不生成微波的状态交替地反复多次。

本发明的被处理体的处理方法，控制多个微波源，使得在用于处理被处理体的状态继续的期间，在将多个微波源的各个任意地组合而成的多个组合的每一个中，并且，在各个组合内同步地将生成所述微波的状态与不生成所述微波的状态交替地反复多次。

在本发明的微波处理装置中，控制部在用于处理被处理体的状态继续的期间，将包含在多个组合的各个组合中的微波源的一部分进行替换。同样地，本发明的被处理体的处理方法，在用于处理被处理体的状态继续的期间，将包含在多个组合的各个组合中的微波源的一部分进行替换。

另外，在本发明的微波处理装置和被处理体的处理方法中，在将包含在多个组合的各个组合中的微波源的一部分替换的情况下，微波导入装置，作为多个微波源具有第一微波源至第四微波源。在该情况下，本发明的控制部，在用于处理被处理体的状态继续的期间，使包含第一微波源至第四微波源中的2个微波源的第一组合中所包含的2个微波源中的一个，与包含第一微波源至第四微波源中的其它2个微波源的第二组合中所包含的2个微波源中的一个替换。同样地，本发明的被处理体的处理方法，在用于处理被处理体的状态继续的期间，使包含第一微波源至第四微波源中的2个微波源的第一组合中所包含的2个微波源中的一个，与包含第一微波源至第四微波源中的其它2个微波源的第二组合中所包含的2个微波源中的一个替换。