[发明专利]用于制造包括高可靠性晶粒底填充的集成电路系统的方法有效
申请号: | 201210356840.2 | 申请日: | 2012-09-21 |
公开(公告)号: | CN103021888A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 任明镇 | 申请(专利权)人: | 格罗方德半导体公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/768 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 英属开曼群*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | 本发明提供一种用于制造包括高可靠性晶粒底填充的集成电路系统的方法,该方法用于制造集成电路系统,其包括在半导体衬底中和上制造多个集成电路。附接间隔开来的焊料凸点到多个集成电路,焊料凸点电接触集成电路的组件。提供切块胶带,于其上具有底填充材料层,并层压半导体衬底到切块胶带,其中底填充材料层填补焊料凸点间的空间。切块半导体衬底和底填充材料层以单切多个集成电路的个别集成电路,并附接多个集成电路的个别集成电路之一到如另一个集成电路芯片或印刷电路板的第二衬底。 | ||
搜索关键词: | 用于 制造 包括 可靠性 晶粒 填充 集成电路 系统 方法 | ||
【主权项】:
一种制造集成电路系统的方法,包含:在半导体衬底中和上制造多个集成电路;附接间隔开来的焊料凸点到所述多个集成电路,所述焊料凸点电接触所述集成电路的组件;提供切块胶带,于其上具有底填充材料层;层压所述半导体衬底到所述切块胶带,其中,所述底填充材料层填补所述焊料凸点间的空间;切块所述半导体衬底和所述底填充材料层以单切所述多个集成电路的个别集成电路;以及附接所述多个集成电路的所述个别集成电路之一到第二衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造