[发明专利]用于制造包括高可靠性晶粒底填充的集成电路系统的方法

权利要求书

1.一种制造集成电路系统的方法，包含：

在半导体衬底中和上制造多个集成电路；

附接间隔开来的焊料凸点到所述多个集成电路，所述焊料凸点电接触所述集成电路的组件；

提供切块胶带，于其上具有底填充材料层；

层压所述半导体衬底到所述切块胶带，其中，所述底填充材料层填补所述焊料凸点间的空间；

切块所述半导体衬底和所述底填充材料层以单切所述多个集成电路的个别集成电路；以及

附接所述多个集成电路的所述个别集成电路之一到第二衬底。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，提供切块胶带包含提供切块胶带，于其上具有底填充材料层，所述底填充材料层具有等于或大于所述间隔开来的焊料凸点的高度的厚度。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，提供切块胶带包含提供具有在所述底填充材料层下方的紫外线释放层的切块胶带。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，在切块所述半导体衬底和所述底填充材料层后，暴露所述切块胶带到紫外线辐射而使所述底填充材料自所述切块胶带释放。

5.根据权利要求1所述的方法，进一步包含，在附接所述多个集成电路的所述个别集成电路之一到第二衬底后，加热所述多个集成电路的所述一集成电路来固化所述底填充材料。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，附接所述多个集成电路的所述个别集成电路之一到第二衬底包含附接所述个别集成电路之一到第二集成电路芯片以形成三维集成电路系统。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述间隔开来的焊料凸点是位在所述半导体衬底的背表面上且其中，制造多个集成电路进一步包含形成延伸穿过所述半导体衬底并电耦合到所述间隔开来的焊料凸点的穿过衬底通孔。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，制造多个集成电路进一步包含：

暂时粘合所述半导体衬底到载体晶片；以及

在附接所述间隔开来的焊料凸点前，薄化所述半导体衬底。

9.根据权利要求8所述的方法，进一步包含在层压所述半导体衬底到所述切块胶带后，自所述载体晶片脱粘所述半导体衬底。

10.一种用于制造集成电路系统的方法，包含：

在半导体衬底中和上制造集成电路，包括蚀刻通孔开口到所述半导体衬底的前表面中并以导电材料填充所述通孔开口来形成穿过衬底通孔；

粘合所述半导体衬底的所述前表面到载体晶片；

抛光所述半导体衬底的背侧以暴露出所述导电材料的一部分；

在与所述导电材料电接触的所述背侧上形成多个焊料凸点；

提供切块胶带，于其上具有底填充材料层；

层压所述半导体衬底的所述背侧到所述切块胶带；

自所述载体晶片脱粘所述半导体衬底；

将所述半导体衬底和所述底填充材料层切块成个别的集成电路芯片；以及

在第二衬底上组装所述个别的集成电路芯片和底填充材料。

11.根据权利要求10所述的方法，进一步包含在形成所述多个焊料凸点前，在所述半导体衬底的所述背侧上形成重新分布层，所述重新分布层电耦合于所述导电材料与所述多个焊料凸点间。

12.根据权利要求10所述的方法，其中，提供切块胶带包含提供具有在切块胶带与所述底填充材料层间的紫外线释放层的切块胶带。

13.根据权利要求12所述的方法，进一步包含在切块以自所述切块胶带释放所述个别集成电路芯片和所述底填充材料的一部分后，以紫外线辐射辐照所述切块胶带。

14.根据权利要求10所述的方法，其中，在第二衬底上组装所述个别的集成电路芯片和底填充材料包含：

在第二衬底上方定位一个别的集成电路芯片；

加热所述个别的集成电路芯片以导致所述焊料凸点流动并导致到所述第二衬底上的导电垫的电耦合；以及

加热所述底填充材料以固化所述底填充材料。

15.根据权利要求10所述的方法，其中，在第二衬底上组装所述个别的集成电路芯片和底填充材料包含附接一个别的集成电路芯片到第二集成电路芯片而形成三维集成电路系统。