[发明专利]测试存储阵列的方法及控制装置在审
| 申请号： | 201210349828.9 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN102867544A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 杨光军;胡剑 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/12 | 分类号： | G11C29/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种测试存储阵列的方法及控制装置，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线，所述测试方法包括：施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线；施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线；施加0V电压至与存储单元连接的所有字线；经过预定测试时间后，去除施加的测试电压，读取每个存储单元的测试电流，将所述测试电流与参考电流进行比较，输出比较结果；根据所述比较结果，判断每个存储单元是否合格；其中，所述位线测试电压小于所述源线测试电压。本发明技术方案提供了一种测试存储阵列的方法及控制装置，减小了对小尺寸存储单元组成的存储阵列的测试时间。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 存储 阵列 方法 控制 装置 | ||
【主权项】：
一种测试存储阵列的方法，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线，其特征在于，包括：施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线；施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线；施加0V电压至与存储单元连接的所有字线；经过预定测试时间后，去除施加的测试电压，读取每个存储单元的测试电流，将所述测试电流与参考电流进行比较，输出比较结果；根据所述比较结果，判断每个存储单元是否合格；其中，所述位线测试电压小于所述源线测试电压。
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