[发明专利]测试存储阵列的方法及控制装置

权利要求书

1.一种测试存储阵列的方法，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线，其特征在于，包括：

施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线；

施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线；

施加0V电压至与存储单元连接的所有字线；

经过预定测试时间后，去除施加的测试电压，读取每个存储单元的测试电流，将所述测试电流与参考电流进行比较，输出比较结果；

根据所述比较结果，判断每个存储单元是否合格；

其中，所述位线测试电压小于所述源线测试电压。

2.根据权利要求1所述的测试存储阵列的方法，其特征在于，所述源线测试电压的取值范围为4V至6V。

3.根据权利要求1所述的测试存储阵列的方法，其特征在于，所述位线测试电压的取值范围为0.1V至0.6V。

4.根据权利要求1所述的测试存储阵列的方法，其特征在于，所述预定测试时间的取值范围为1ms至100ms。

5.根据权利要求1所述的测试存储阵列的方法，其特征在于，所述参考电流的取值范围为4μA至10μA。

6.一种测试存储阵列的控制装置，所述存储阵列中，同一列的存储单元共用一条位线，同一行的存储单元共用一条字线，每两行存储单元共用一条源线，其特征在于，包括：

源线控制单元，用于施加源线测试电压至与存储单元连接的所有源线；

位线控制单元，用于施加不为0V的位线测试电压至与存储单元连接的所有位线；

字线控制单元，用于施加0V电压至与存储单元连接的所有字线；

读取比较单元，用于读取每个存储单元的测试电流，将所述测试电流与参考电流进行比较，输出比较结果；

判断单元，用于根据所述比较结果判断每个存储单元是否合格；

其中，所述位线测试电压小于所述源线测试电压。

7.根据权利要求6所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，还包括：位线测试电压提供单元，用于产生所述位线测试电压。

8.根据权利要求7所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述位线测试电压提供单元包括：

参考电压源，用于产生参考电压；

输出缓冲单元，用于放大所述参考电压源产生的参考电压，获得所述位线测试电压。

9.根据权利要求8所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述参考电压源为第一带隙基准源。

10.根据权利要求8所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述参考电压源包括：

第二带隙基准源，包括基准电压输出端；

电压跟随单元，包括控制电压输入端和参考电压输出端，所述控制电压输入端与所述基准电压输出端连接。

11.根据权利要求10所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述电压跟随单元包括第一NMOS管和参考电流源，所述参考电流源一端接地，另一端与所述第一NMOS管的源极连接并作为所述参考电压输出端，所述第一NMOS管的栅极为所述控制电压输入端，所述第一NMOS管的漏极连接电源电压。

12.根据权利要求8所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述参考电压源为虚拟阵列。

13.根据权利要求6所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述源线测试电压的取值范围为4V至6V。

14.根据权利要求6所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述位线测试电压的取值范围为0.1V至0.6V。

15.根据权利要求6所述的测试存储阵列的控制装置，其特征在于，所述参考电流的取值范围为4μA至10μA。