[发明专利]残渣除去液的使用无效
| 申请号： | 201210345066.5 | 申请日： | 2008-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN102839062A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 中村新吾;毛塚健彦 | 申请（专利权）人： | 大金工业株式会社 |
| 主分类号： | C11D7/32 | 分类号： | C11D7/32;C11D7/34;C11D11/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是残渣除去液的使用，提供一种选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种化合物在除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣时用于保护Cu表面的使用，其中，(1)是含有具有式：＝N-NH-所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下；(2)是含有具有式：-N＝C(SH)-X-(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下；(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。 | ||
| 搜索关键词： | 残渣 除去 使用 | ||
【主权项】：
一种选自下述(1)、(2)、(3)中的至少一种化合物在除去存在于干蚀刻和/或灰化后的半导体基板上的残渣时用于保护Cu表面的使用，(1)是含有具有式：＝N‑NH‑所示结构的五元杂环芳香族化合物(不包括3个N连续的化合物)作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(2)是含有具有式：‑N＝C(SH)‑X‑(式中，X表示NH、O或S)所示结构的五元杂环化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以下，(3)是含有具有至少1个氮原子(N)的六元杂环芳香族化合物作为基本骨架的化合物，其水溶液(10ppm、23℃)的pH为7以上。
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