[发明专利]一种LBO晶体的生长装置以及生长方法有效
| 申请号： | 201210343210.1 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103668455A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;岳银超;赵营;涂衡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞;张庆敏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种LBO晶体的生长装置，包括坩埚以及在所述坩埚内的底部上设置的凸部。本发明还涉及了一种LBO晶体的生长方法，采用所述生长装置进行LBO晶体的生长。本发明提供的生长装置结构简单、制造简便、成本较低；本发明提供的生长装置和生长方法可以直接生长出大口径扁平状LBO单晶体，降低了晶体器件切割难度，显著提高了晶体的利用率，减少了加工环节，缩短了晶体生长周期，降低了制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 lbo 晶体 生长 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种LBO晶体的生长装置，其特征在于，包括坩埚以及在所述坩埚内的底部上设置的凸部。
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