[发明专利]一种LBO晶体的生长装置以及生长方法有效
| 申请号： | 201210343210.1 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103668455A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;岳银超;赵营;涂衡 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王朋飞;张庆敏 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 lbo 晶体 生长 装置 以及 方法 | ||
1.一种LBO晶体的生长装置，其特征在于，包括坩埚以及在所述坩埚内的底部上设置的凸部。
2.根据权利要求1所述的生长装置，其特征在于，所述凸部顶端封闭。
3.根据权利要求1或2所述的生长装置，其特征在于，所述凸部为规则或不规则的柱状、或为规则或不规则的锥状。
4.根据权利要求3所述的生长装置，其特征在于，所述凸部的横截面为圆形、椭圆形或任意多边形。
5.根据权利要求1-4任一项所述的生长装置，其特征在于，所述凸部为空心结构或实心结构。
6.一种LBO晶体的生长方法，为助熔剂生长法，其特征在于，采用权利要求1-5任一项所述的生长装置进行晶体生长。
7.根据权利要求6所述的生长方法，其特征在于，包括以下步骤：
（1）制备用以晶体生长的LBO原料，置于权利要求1-5任一项所述生长装置中，升温至所述原料完全熔化得到熔体；
（2）引入籽晶，降温开始生长晶体；
（3）晶体生长结束后，将其取出降至室温即得。
8.根据权利要求7所述的生长方法，其特征在于，所述步骤（2）为：将步骤（1）所得熔体升温至饱和点温度以上1～10℃，引入籽晶至所述熔体的表面或其中，保温1～20小时后，以0.05～1.50℃/天的速度降温开始生长晶体。
9.根据权利要求7或8所述的生长方法，其特征在于，所述步骤（2）中，还包括在生长晶体过程中以20～60rpm的速度旋转籽晶。
10.根据权利要求9所述的生长方法，其特征在于，所述籽晶的旋转为单向旋转或双向旋转。
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