[发明专利]用于具有插入框架的封装件的非流动型底部填充有效
申请号: | 201210340219.7 | 申请日: | 2012-09-13 |
公开(公告)号: | CN103247547A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 吴俊毅 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/603 | 分类号: | H01L21/603;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/538 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 提供了通过使用中介层和非流动型底部填充(NUF)层形成堆叠封装(PoP)封装件的机制。插入框架改进了封装件的形状因数,能够减小接合结构的间距。通过利用用于接合的半导体管芯的连接件上的热量和插入框架的连接件上的热量,NUF层使半导体管芯和插入框架能够接合至衬底。由半导体管芯和插入框架提供的热量还将NUF层转换成底部填充。通过使用插入框架和NUF层形成的PoP结构提高了产率并具有更好的可靠性性能。本发明提供了用于具有插入框架的封装件的非流动型底部填充。 | ||
搜索关键词: | 用于 具有 插入 框架 封装 流动 底部 填充 | ||
【主权项】:
一种形成堆叠封装结构的方法,所述方法包括:提供衬底,其中所述衬底具有多个第一凸块和多个第二凸块,其中所述多个第二凸块围绕所述多个第一凸块;在所述衬底上方施加非流动型底部填充(NUF)层;利用半导体管芯供应的热量将所述半导体管芯接合至所述衬底上的多个第一凸块;以及利用插入框架供应的热量将所述插入框架接合至所述衬底上的多个第二凸块,其中,所述插入框架围绕所述半导体管芯,其中所述半导体管芯设置在所述插入框架的开口中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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