[发明专利]用于具有插入框架的封装件的非流动型底部填充有效

专利信息
申请号: 201210340219.7 申请日: 2012-09-13
公开(公告)号: CN103247547A 公开(公告)日: 2013-08-14
发明(设计)人: 吴俊毅 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L21/603 分类号: H01L21/603;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/538
代理公司: 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 代理人: 章社杲;孙征
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要: 提供了通过使用中介层和非流动型底部填充(NUF)层形成堆叠封装(PoP)封装件的机制。插入框架改进了封装件的形状因数,能够减小接合结构的间距。通过利用用于接合的半导体管芯的连接件上的热量和插入框架的连接件上的热量,NUF层使半导体管芯和插入框架能够接合至衬底。由半导体管芯和插入框架提供的热量还将NUF层转换成底部填充。通过使用插入框架和NUF层形成的PoP结构提高了产率并具有更好的可靠性性能。本发明提供了用于具有插入框架的封装件的非流动型底部填充。
搜索关键词: 用于 具有 插入 框架 封装 流动 底部 填充
【主权项】:
一种形成堆叠封装结构的方法,所述方法包括:提供衬底,其中所述衬底具有多个第一凸块和多个第二凸块,其中所述多个第二凸块围绕所述多个第一凸块;在所述衬底上方施加非流动型底部填充(NUF)层;利用半导体管芯供应的热量将所述半导体管芯接合至所述衬底上的多个第一凸块;以及利用插入框架供应的热量将所述插入框架接合至所述衬底上的多个第二凸块,其中,所述插入框架围绕所述半导体管芯,其中所述半导体管芯设置在所述插入框架的开口中。
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