[发明专利]用于具有插入框架的封装件的非流动型底部填充

权利要求书

1.一种形成堆叠封装结构的方法，所述方法包括：

提供衬底，其中所述衬底具有多个第一凸块和多个第二凸块，其中所述多个第二凸块围绕所述多个第一凸块；

在所述衬底上方施加非流动型底部填充(NUF)层；

利用半导体管芯供应的热量将所述半导体管芯接合至所述衬底上的多个第一凸块；以及

利用插入框架供应的热量将所述插入框架接合至所述衬底上的多个第二凸块，其中，所述插入框架围绕所述半导体管芯，其中所述半导体管芯设置在所述插入框架的开口中。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NUF层包括聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯或它们的组合。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述NUF层的厚度在约20μm至约120μm的范围内。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，包括：

在所述半导体管芯和所述插入框架的上方设置封装管芯，其中，所述封装管芯具有与所述插入框架的多个衬底通孔(TSH)对准的多个凸块；以及

实施回流工艺以使得所述衬底的多个第二凸块和所述封装管芯的多个凸块填充所述多个TSH。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，利用所述半导体管芯供应的热量将所述半导体管芯接合至所述衬底上的多个第一凸块包括：

使用管芯夹持件拾取所述半导体管芯，其中所述管芯夹持件提供热量用于接合所述半导体管芯和所述衬底上的多个第一凸块；

将所述半导体管芯按压在所述NUF层和所述衬底上，其中，所述半导体管芯上的多个凸块推开围绕所述多个第一凸块的NUF层以接触所述衬底上的所述多个第一凸块；以及

利用所述半导体管芯提供的热量将所述半导体管芯的多个凸块接合至所述多个第一凸块。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，利用所述半导体管芯供应的热量将所述半导体管芯接合至所述衬底上的多个第一凸块进一步包括：

使所述半导体管芯的多个凸块与所述多个第一凸块对准。

7.一种形成堆叠封装结构的方法，所述方法包括：

提供衬底，其中所述衬底具有多个第一凸块和多个第二凸块，其中所述多个第二凸块围绕所述多个第一凸块；

在所述衬底上方施加非流动型底部填充(NUF)层；

利用半导体管芯供应的热量将所述半导体管芯接合至所述衬底上的多个第一凸块；

利用插入框架供应的热量将所述插入框架接合至所述衬底上的多个第二凸块，其中，所述插入框架围绕所述半导体管芯，所述半导体管芯设置在所述插入框架的开口中；

在所述半导体管芯和所述插入框架上方设置封装管芯，其中，所述封装管芯具有与所述插入框架的多个TSH对准的多个凸块；以及

实施回流工艺以使得所述衬底的多个第二凸块的焊料和所述封装管芯的多个凸块的焊料填充多个衬底通孔(TSH)。

8.一种半导体封装件，包括：

衬底，具有多个第一凸块和多个第二凸块；

插入框架，其中，所述插入框架包括多个衬底通孔(TSH)和在其中限定的开口；

半导体管芯，接合至所述衬底的多个第一凸块并设置在所述插入框架内的开口中，其中，所述衬底的多个第二凸块与所述多个TSH对准并接合至所述多个TSH；以及

非流动型底部填充(NUF)层，夹置在所述半导体管芯、所述插入框架和所述衬底之间，其中，所述NUF层填充所述半导体管芯和所述衬底之间的间隔，并且所述NUF层还填充所述插入框架和所述衬底之间的间隔。

9.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述NUF层的厚度在约20μm至约120μm的范围内。

10.根据权利要求8所述的半导体封装件，其中，所述NUF层包括聚烯烃、聚酯、聚碳酸酯或它们的组合。