[发明专利]一种提高GaN-LED出光稳定性的低损伤图形衬底的制备方法有效
| 申请号： | 201210338323.2 | 申请日： | 2012-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN103681977A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 邵慧慧;曲爽;王成新;马旺;李毓锋 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 吕利敏 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高GaN-LED出光稳定性的低损伤图形衬底的制备方法。该方法包括按现有技术在蓝宝石衬底上制备规则的掩膜图形，湿法腐蚀制出蓝宝石图形衬底,最后去除掩膜层，其中，在湿法腐蚀前，在蓝宝石衬底下面蒸镀一层二氧化硅或者氮化硅掩膜，掩膜层的厚度为0.1-1μm，以保护衬底，得到的图形衬底透明度均一，在图形衬底上生长外延层，该过程中生长均一性将明显提高，制得的GaN-LED出光稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 gan led 稳定性 损伤 图形 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种低损伤的图形衬底的制备方法，包括按现有技术，在蓝宝石衬底上制备规则的掩膜图形，湿法腐蚀制出蓝宝石图形衬底,最后去除掩膜层，其特征在于，在湿法腐蚀前，将蓝宝石衬底利用等离子体化学气相沉积（PECVD）工艺在蓝宝石衬底下面蒸镀一层二氧化硅或者氮化硅掩膜，掩膜层的厚度为0.1‑1μm。
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