[发明专利]一种提高GaN-LED出光稳定性的低损伤图形衬底的制备方法

权利要求书

1.一种低损伤的图形衬底的制备方法，包括按现有技术，在蓝宝石衬底上制备规则的掩膜图形，湿法腐蚀制出蓝宝石图形衬底,最后去除掩膜层，其特征在于，在湿法腐蚀前，将蓝宝石衬底利用等离子体化学气相沉积（PECVD）工艺在蓝宝石衬底下面蒸镀一层二氧化硅或者氮化硅掩膜，掩膜层的厚度为0.1-1μm。

2.如权利要求1所述的低损伤的图形衬底的制备方法，其特征在于，步骤如下：

（1）在蓝宝石衬底上面利用PECVD工艺蒸镀一层二氧化硅或者氮化硅掩膜层，掩膜层的厚度为0.1-1μm；

（2）在上述掩膜层上涂上一层光刻胶，利用光刻胶将图形转移到掩膜层上，显影后，采用感应耦合等离子体刻蚀（ICP），以SF6气体刻蚀掩膜层，然后按常规方法去掉光刻胶，用去离子水清洗，形成规则的掩膜图形；

（3）将步骤（2）制得的蓝宝石衬底利用PECVD工艺在衬底下面沉积一层二氧化硅或者氮化硅掩膜，掩膜层的厚度为0.1-1μm；

（4）湿法腐蚀

将步骤（3）的制品在硫酸和磷酸混合的高温酸中250～400℃腐蚀15～40分钟，取出，用去离子水冲洗干净，得到上面刻蚀有图形的蓝宝石衬底；

（5）然后按常规方法去掉蓝宝石衬底掩膜层，再通过丙酮、乙醇、去离子水清洗，即得低损伤的图形衬底。

3.如权利要求1所述的低损伤的图形衬底的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述规则的掩膜图形为直径1－4μm、间距0.5～2μm的圆形，或者边长1～4μm、间距0.5～2μm的正方形。

4.如权利要求1所述的低损伤的图形衬底的制备方法，其特征在于，步骤（4）湿法腐蚀中所用的高温酸为质量分数98%的硫酸和质量分数85%的磷酸按体积比5～15∶1的混合。

5.如权利要求1所述的低损伤的图形衬底的制备方法，其特征在于，步骤（4）湿法腐蚀制得蓝宝石衬底上面刻蚀有台面高度为1～10μm的图形衬底。

6.如权利要求1所述的低损伤的图形衬底的制备方法，其特征在于，步骤（5）中常规方法去掉掩膜层，是用质量分数4%的氢氟酸溶液常温浸泡腐蚀去除掩膜层。