[发明专利]一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法无效
| 申请号： | 201210335760.9 | 申请日： | 2012-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN102855360A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 赵浙业;陈岚;尹明会;赵劼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，包括：对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，以使其满足预定线宽和预定间距。采用本发明实施例的优化方法，减少了金属层版图中的拐角，使金属层版图密度分布均匀，优化了金属层版图所需光学临近校正修正的面积，减少了光学临近校正修正数据量与修正时间，提高了芯片的可制造性，节约了芯片的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 工艺 金属 版图 优化 设计 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，其特征在于，包括：对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距；优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，以使其满足预定线宽和预定间距。
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