[发明专利]一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造技术领域，具体涉及一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法。

背景技术

在90nm以下的技术节点上，芯片的特征尺寸已经接近甚至小于光刻工艺中所使用的光波的波长。因此在光刻过程中，由于光波的干涉和衍射效应，实际晶圆上的光刻图形与版图图形之间存在一定的变形和偏差，光刻中的这种误差直接影响了芯片的可制造性（Design For Manufacture，DFM）。为了得到高分辨率和更加逼真的版图图形，光学临近校正(Optical Proximity Correction，OPC)等光刻技术被应用到掩膜制造工艺上，当光通过这种改进后的掩膜时，可以在光刻胶上产生和版图图形尽可能接近的图形。

光学临近校正（OPC）技术，通过改变掩膜上图形的形状来使晶圆上得到的图形和版图图形尽量相似。如图1所示，为现有技术中采用OPC技术对版图图形进行修正的示意图，图1a中，左侧图形是通过添加宽度偏移来消除线条宽度变化；中间的图形是通过在线条末尾添加锤子头形状(Hammerhead)的模块来消除线条变短；右侧的图形是通过在线条拐角处添加衬线(Serif)来消除拐角变圆；图1b是OPC校正技术综合运用后得到的掩模图形的例子。

虽然采用OPC校正技术能够在一定程度上对晶圆上的光刻图形进行修正，使其尽量接近版图图形。但是，使用OPC技术也会带来一系列的问题。首先，OPC校正处理过程中会产生大量的数据，经过OPC校正后，所需存储的芯片版图数据存储量急剧增加，导致对数据存储设备的要求提高；其次，对于全芯片的OPC，OPC校正技术算法复杂需要很长的运算时间，直接影响了版图数据处理和掩模制造效率，不利于芯片制造成本的降低。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提供一种纳米工艺标准单元库金属层版图的优化设计方法，以解决现有技术中实际的晶圆上的光刻图形与版图图形之间存在一定的变形和偏差的问题，减少OPC校正数据量与修正时间，提高芯片的可制造性（DFM），节约芯片的制造成本。

为实现上述目的，本发明实施例提供一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，包括：

对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；

优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；

优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距；

优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，以使其满足预定线宽和预定间距。

优选地，在所述优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距后，还包括：

对所述金属层版图进行预定设计规则检验和版图对照原理图检验。

优选地，所述对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整，包括：

减少所述金属层版图的所述金属线的冗余拐角；和/或

调整相邻所述金属线的形状，使相邻所述金属线的宽长比相同。

优选地，所述减少所述金属层版图的所述金属线的冗余拐角，包括：

对于连接多个MOS管端口的所述金属线，将连接任意两个所述端口之间的所述金属线设置为直线；和/或

去除所述金属层版图的冗余接触孔，并将由于所述冗余接触孔而产生拐角的所述金属线拉直。

优选地，所述优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距，包括：

调整所述输入端金属线的线宽及间距，使相邻所述输入端金属线的线宽相同、所述输入端金属线之间的间距相同。

优选地，在所述优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距前，还包括：

测量所述输入端端口的命名标注位置，以便在优化所述输入端金属线的线宽及间距过程中预留出所述命名标注位置。

优选地，所述优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距，包括：

将间距大于所述预定间距的1.3倍的所述输出端金属线加宽，以使相邻所述输出端金属线的距离为所述预定间距的1.2~1.5倍。

优选地，所述优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，包括：

将所述金属层版图的边界金属线加宽至所述预定线宽的1.3~1.8倍。