[发明专利]一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法

权利要求书

1.一种纳米工艺金属层版图的优化设计方法，其特征在于，包括：

对标准单元金属层版图完成物理设计后，对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整；

优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距；

优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距；

优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，以使其满足预定线宽和预定间距。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距后，还包括：

对所述金属层版图进行预定设计规则检验和版图对照原理图检验。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述对所述金属层版图的金属线布局及走线进行调整，包括：

减少所述金属层版图的所述金属线的冗余拐角；和/或

调整相邻所述金属线的形状，使相邻所述金属线的宽长比相同。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述减少所述金属层版图的所述金属线的冗余拐角，包括：

对于连接多个MOS管端口的所述金属线，将连接任意两个所述端口之间的所述金属线设置为直线；和/或

去除所述金属层版图的冗余接触孔，并将由于所述冗余接触孔而产生拐角的所述金属线拉直。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距，包括：

调整所述输入端金属线的线宽及间距，使相邻所述输入端金属线的线宽相同、所述输入端金属线之间的间距相同。

6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述优化所述金属层版图的输入端金属线的线宽及间距前，还包括：

测量所述输入端端口的命名标注位置，以便在优化所述输入端金属线的线宽及间距过程中预留出所述命名标注位置。

7.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述优化所述金属层版图的输出端金属线的线宽及间距，包括：

将间距大于所述预定间距的1.3倍的所述输出端金属线加宽，以使相邻所述输出端金属线的距离为所述预定间距的1.2~1.5倍。

8.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述优化所述金属层版图的边界金属线的线宽及间距，包括：

将所述金属层版图的边界金属线加宽至所述预定线宽的1.3~1.8倍。