[发明专利]晶体管的形成方法、半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201210333018.4 | 申请日： | 2012-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN103681332A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 蒲月皎;施雪捷;俞少峰 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种晶体管的形成方法和半导体器件的形成方法。所述晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述半导体衬底上表面且差值大于设定阈值，所述半导体衬底与所述浅沟槽隔离结构相邻的侧壁为倾斜表面；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖宽度方向的所述倾斜表面；以所述栅极结构为掩模，沿与半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行轻掺杂离子注入，且沿与半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区。本发明可以增大晶体管沟道区的有效宽度，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底中形成多个浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构的上表面低于所述半导体衬底上表面且差值大于设定阈值，所述半导体衬底与所述浅沟槽隔离结构相邻的侧壁为倾斜表面；在所述半导体衬底上形成栅极结构，所述栅极结构覆盖宽度方向的所述倾斜表面；以所述栅极结构为掩模，沿与所述半导体衬底上表面垂直的方向在所述栅极结构两侧的半导体衬底中进行轻掺杂离子注入，且沿与所述半导体衬底上表面的夹角为设定角度的方向在所述半导体衬底被栅极结构覆盖的倾斜表面中进行轻掺杂离子注入，形成轻掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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